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关中杰
作品数:
9
被引量:19
H指数:2
供职机构:
云南大学
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教育部科学技术研究重点项目
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相关领域:
理学
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合作作者
靳映霞
云南大学光电信息材料研究所
李亮
云南大学光电信息材料研究所
杨宇
云南大学光电信息材料研究所
叶小松
云南大学光电信息材料研究所
王茺
云南大学光电信息材料研究所
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云南大学
作者
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关中杰
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杨宇
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靳映霞
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2011
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周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法,特别是使用磁控溅射技术,首先制备Si缓冲层,然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点,再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中埋入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
靳映霞
杨宇
李亮
关中杰
文献传递
周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法,特别是使用磁控溅射技术,首先制备Si缓冲层,然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点,再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中买入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
靳映霞
杨宇
李亮
关中杰
溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响
被引量:1
2012年
利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
叶小松
王茺
关中杰
靳映霞
李亮
杨宇
关键词:
磁控溅射
表面形貌
菱铁矿资源开发及综合应用研究现状
被引量:8
2011年
综述了当前开发利用菱铁矿资源的几种主要方法和工艺,并重点介绍了国内外菱铁矿的综合应用及研究现状。同时也指出了菱铁矿资源综合利用的发展前景及研究趋势。
关中杰
张艮林
兰尧中
关键词:
菱铁矿
选冶技术
含砷废水处理研究现状
被引量:9
2010年
水中砷含量超标给人类造成了较大的危害,本文总结了近些年来含砷废水的处理方法及发展状况,以及各种除砷技术的优缺点。
陈锋
关中杰
兰尧中
关键词:
含砷废水
磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法,特别是使用磁控溅射技术,基于低温生长高温退火的两步法,制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术,工作室保持高真空环境,使用氩气作为工作气体,在工作室溅射压强...
杨宇
靳映霞
叶小松
李亮
关中杰
王茺
文献传递
两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响
被引量:1
2012年
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm。
关中杰
靳映霞
王茺
叶小松
李亮
杨宇
关键词:
射频磁控溅射
磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法,特别是使用磁控溅射技术,基于低温生长高温退火的两步法,制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术,工作室保持高真空环境,使用氩气作为工作气体,在工作室溅射压强...
杨宇
靳映霞
叶小松
李亮
关中杰
王茺
文献传递
缓冲层对Ge薄膜性能的影响研究
本论文针对改善由Si和Ge之间晶格失配较大而导致的失配位错密度高、表面粗糙度RMS大等问题对Ge薄膜性能的影响,研究制备高质量的Si基Ge薄的方法。本论文利用磁控溅射技术,采用低温缓冲层方法减小Si和Ge之间的晶格失配,...
关中杰
关键词:
磁控溅射技术
缓冲层
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