张茂添
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- Ge沟道肖特基源漏场效应晶体管的制备与特性分析
- 随着半导体技术的不断发展,Si MOSFET器件的小型化日益接近其物理极限,而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFET技术中的应用前景得到研究者的广泛关注。各种新结构Ge MOSFET器件中,肖...
- 张茂添
- 关键词：肖特基势垒迁移率
- 文献传递
- Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
- 2014年
- 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。
- 张茂添刘冠洲李成王尘黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：肖特基势垒
