公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

ZnO∶Al薄膜中本征缺陷对光电效应的影响被引量：4: 2004年; 在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中 ,通过合适选取溅射时氧氩的压力比 ,可以显著提高所得n ZnO p Si异质结的光生短路电流 ,并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响 ,从而可以用这种方法明显提高其光电转化能力。即使是在已经进行了n型掺杂的ZnO薄膜 (这里为ZnO∶Al)中 ,改变溅射时氧氩比对光电效应的影响也很明显。通过实验 ,已经证实了产生这种现象的原因是溅射时氧氩比的改变导致了ZnO薄膜内部的本征缺陷浓度的改变 ,使得载流子浓度变化而导致的结果。在氧氩压力比约为 1∶3时。; 段理林碧霞朱俊杰汪进张国非傅竹西; 关键词：氧化锌薄膜异质结本征缺陷光电效应

氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性被引量：12: 2002年; 报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 ); 林碧霞傅竹西刘磁辉廖桂红朱俊杰段理; 关键词：氧化锌薄膜异质结

全选清除导出

共1页<1>

段理