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向军荣

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇锑化铟
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇抛光硅片
  • 1篇磨料
  • 1篇硅衬底
  • 1篇硅片
  • 1篇核心部件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇硅
  • 1篇INSB
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇中国航空工业...

作者

  • 2篇向军荣
  • 1篇司俊杰
  • 1篇吕衍秋
  • 1篇苏现军
  • 1篇孙维国
  • 1篇张向锋
  • 1篇王海珍
  • 1篇陈洪许
  • 1篇张亮
  • 1篇李明华
  • 1篇王晶
  • 1篇张磊

传媒

  • 1篇红外技术

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种借助硅实现大片锑化铟阵列芯片的转移方法
本发明公开了一种借助硅实现大片锑化铟阵列芯片的转移方法，采取一种硅-硅键合结构实现大片锑化铟阵列芯片[1]的背面减薄及转移，其步骤包括：首先在背面减薄使用的玻璃垫板[6]上粘接一圆形单抛硅片[4]作为衬底，然后在硅衬底粗...
向军荣吕衍秋张向锋张亮孙维国司俊杰王海珍陈洪许苏现军刘慧王晶
InSb半导体材料抛光研磨技术研究
2009年
InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用机械抛光技术对InSb进行表面加工,分析了研磨液磨料浓度对InSb表面状况及去除率的影响,实验得到了优化研磨液配比参数,在此参数下,获得了良好的研磨表面。
向军荣李明华张磊
关键词：锑化铟磨料
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