黄清芳
- 作品数：3 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- LEC法生长4英寸InP单晶的放肩技术研究
- 利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术.主要讨论了晶体生长过程中引晶、放肩、等径控制等因素对单晶生长的影响.
- 黄清芳孙聂枫李晓岚李帅杨建业邵会民史艳磊王阳刘惠生孙同年
- 关键词：直径INP单晶半绝缘
- InP晶片位错密度的测量与分析
- 2013年
- 采用湿法腐蚀方法研究了HCl,H3PO4和HBr等不同腐蚀液在显示<100>InP晶片位错中的作用,及腐蚀温度、腐蚀时间、光照条件等因素对腐蚀速率和腐蚀效果的影响,最后统计3英寸(1英寸=2.54 cm)<100>InP晶片位错密度分布,分析其位错产生原因。经过实验表明,单一的HCl或H3PO4腐蚀剂无法显示出<100>InP晶片的位错坑,而单一的HBr能够很好地显示出四方形的位错坑。在<100>InP晶片的混合位错腐蚀液中,HBr占主导作用,HCl及H3PO4起辅助作用。在腐蚀过程中提供光照或者提高腐蚀温度都可以明显提高腐蚀速率。在光照条件下,半导体会激发出空穴-电子对,在半导体表面增加载流子可以有效提高反应速率,从而提高腐蚀速率。化学反应速率常数k随温度升高呈指数升高,所以提高腐蚀温度可以有效提高腐蚀速率。InP晶片位错主要是由晶体内部热应力引起的。
- 李岚黄清芳刘志国杨瑞霞李晓岚孙聂枫
- 关键词：磷化铟湿法腐蚀腐蚀速率
- 磷化铟单晶退火及热应力分布的研究被引量：8
- 2013年
- 磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数。通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法。在InP晶体生长阶段,熔体温度、炉内气体压强、氧化硼厚度、熔体及晶体的形状、炉体结构、加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素。这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力。晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化。通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放。采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现"十"字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的"十"字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致。晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错。
- 黄清芳王阳刘志国杨瑞霞孙同年孙聂枫
- 关键词：INP单晶热应力位错
