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唐琰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇源区
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电流
  • 2篇双栅
  • 2篇泄露电流
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇控制器
  • 2篇控制器件
  • 2篇侧墙
  • 1篇远程
  • 1篇远程维护
  • 1篇在线管理
  • 1篇栅极
  • 1篇栅极结构
  • 1篇维护管理
  • 1篇介质层
  • 1篇客户端

机构

  • 4篇杭州电子科技...

作者

  • 4篇孙玲玲
  • 4篇王颖
  • 4篇曹菲
  • 4篇唐琰

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种非对称双栅无结场效应晶体管
本发明公开了一种新型非对称双栅无结场效应晶体管，包括顶部栅极、底部栅极、源区、漏区、栅介质层、沟道重叠区、沟道非重叠区；其中，所述顶部栅极与底部栅极位于沟道上下位置，并且为非对称结构；顶部栅极与底部栅极存在重叠区域沟道重...
王颖孙玲玲唐琰曹菲
文献传递
一种新型P<Sup>+</Sup>侧墙无结场效应晶体管
本发明公开了一种P<Sup>+</Sup>侧墙无结器件,由双栅极、源区、漏区、沟道区、栅介质层、P<Sup>+</Sup>侧墙以及隔离层组成。对于传统无结器件来说，当栅极长度降低到10纳米时，泄露电流会变得很大，因此抑制...
王颖孙玲玲唐琰曹菲
一种新型非对称双栅无结场效应晶体管
本发明公开了一种新型非对称双栅无结场效应晶体管，包括顶部栅极、底部栅极、源区、漏区、栅介质层、沟道重叠区、沟道非重叠区；其中，所述顶部栅极与底部栅极位于沟道上下位置，并且为非对称结构；顶部栅极与底部栅极存在重叠区域沟道重...
王颖孙玲玲唐琰曹菲
文献传递
一种新型P<Sup>+</Sup>侧墙无结场效应晶体管
本发明公开了一种P<Sup>+</Sup>侧墙无结器件,由双栅极、源区、漏区、沟道区、栅介质层、P<Sup>+</Sup>侧墙以及隔离层组成。对于传统无结器件来说，当栅极长度降低到10纳米时，泄露电流会变得很大，因此抑制...
王颖孙玲玲唐琰曹菲
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