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赵晨

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：太原理工大学更多>>
发文基金：浙江省重点科技创新团队项目山西省基础研究计划项目山西省高等学校科技创新项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇中高温
  • 1篇空穴
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇光电
  • 1篇高温
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇太原理工大学

作者

  • 1篇许并社
  • 1篇翟光美
  • 1篇尚林
  • 1篇梁建
  • 1篇薛晋波
  • 1篇马淑芳
  • 1篇董海亮
  • 1篇贾志刚
  • 1篇卢太平
  • 1篇李学敏
  • 1篇刘青明
  • 1篇朱亚丹
  • 1篇赵晨
  • 1篇韩丹

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响被引量：2
2016年
利用金属有机气相化学沉积（MOCVD）技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响。利用芯片测试仪和原子力显微镜（AFM）表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌。当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70-110 nm增加至110-150 nm。当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW。对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明：增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率。
刘青明卢太平朱亚丹韩丹董海亮尚林赵广洲赵晨周小润翟光美贾志刚梁建马淑芳薛晋波李学敏许并社
关键词：氮化镓
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