您的位置： 专家智库 > >

赵永恒

作品数：9 被引量：4H指数：2
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术机械工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇漏孔
  • 7篇标准漏孔
  • 5篇漏率
  • 4篇键合
  • 3篇多孔
  • 3篇多孔材料
  • 3篇孔材料
  • 2篇压强
  • 2篇阳极键合
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇通过式
  • 2篇铜板
  • 2篇凸台
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀技术
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇分子流
  • 2篇铜
  • 2篇尺寸可控

机构

  • 9篇合肥工业大学
  • 1篇北京卫星环境...

作者

  • 9篇赵永恒
  • 8篇王旭迪
  • 7篇朱爱青
  • 6篇尉伟
  • 4篇邱克强
  • 4篇郑丁杰
  • 4篇董栋
  • 1篇王时飞
  • 1篇孙立臣
  • 1篇窦仁超

传媒

  • 2篇真空

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔
本发明公开了一种硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔的方法，首先在预处理过的硅片上涂覆一层光刻胶，经全息曝光及ICP浅刻蚀技术在硅片上获得光栅图案。然后在硅片上涂覆一层光刻胶，经湿法腐蚀技术在硅片上获得深槽结构。...
王旭迪赵永恒尉伟邱克强朱爱青董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
文献传递
硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔
本发明公开了一种硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔的方法，首先在预处理过的硅片上涂覆一层光刻胶，经全息曝光及ICP浅刻蚀技术在硅片上获得光栅图案。然后在硅片上涂覆一层光刻胶，经湿法腐蚀技术在硅片上获得深槽结构。...
王旭迪赵永恒尉伟邱克强朱爱青董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
文献传递
一种分子流标准漏孔及其制作方法
本发明涉及一种分子流标准漏孔及其制作方法。本发明的目的是为了解决现有技术中标准漏孔无法保证在大气压强范围内处于分子流状态，漏率大小可控性差，难以获得预定的漏率大小且制作过程复杂等问题。本发明所提供的标准漏孔，其结构包括第...
王旭迪朱爱青尉伟邱克强赵永恒董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
文献传递
一种分子流标准漏孔及其制作方法
本发明涉及一种分子流标准漏孔及其制作方法。本发明的目的是为了解决现有技术中标准漏孔无法保证在大气压强范围内处于分子流状态，漏率大小可控性差，难以获得预定的漏率大小且制作过程复杂等问题。本发明所提供的标准漏孔，其结构包括第...
王旭迪朱爱青尉伟邱克强赵永恒董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
文献传递
基于AAO的标准漏孔制作及其性能研究
标准漏孔是真空计量技术的标尺，它的性能直接影响着真空测量和真空检漏结果的准确性。目前，常用的通道型标准漏孔存在着形状尺寸不可控、漏率不确定、漏孔中气体多处于复杂过渡流等问题，这些问题的存在导致无法对检漏仪和真空计进行准确...
赵永恒
关键词：标准漏孔真空计量真空检漏多孔材料
文献传递
升压法漏率测量装置的研制被引量：2
2017年
本文介绍了一种基于升压法的漏率测量装置,通过在传统升压法的基础上添加标准室,降低了测量过程中本底放气的影响,全金属密封避免了氦气的渗透,利用数据采集卡和组态王软件实现数据的连续采集和记录。装置测量了104Pa-105Pa下氦气通过测试元件的漏率,并利用检漏仪对测试结果进行了验证,相对误差在5.8%左右。本装置可以实现10^(-8)Pa m^3/s量级以下的漏率的精确测量。
朱爱青孙立臣窦仁超赵永恒魏本猛董栋王旭迪
一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法
本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光...
王旭迪寇钰魏本猛尉伟赵永恒朱爱青
文献传递
一种自封装技术制备PMMA微流控通道方法研究
2015年
本文结合湿法腐蚀技术、紫外固化纳米压印技术、热压纳米压印技术制备出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)沟槽微结构,基于局部加热的自封装技术成功制备出了PMMA微流控通道。研究了硅模板结构参数的选择要求以及工艺过程中实验参数对实验的影响。实验结果表明,热硅片与基片相对运动方向应与PMMA沟槽微结构方向平行,有利于制备出变形量小、尺寸均匀的微流控通道。
朱郑乔若王时飞赵永恒王旭迪
关键词：聚甲基丙烯酸甲酯
一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法
本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光...
王旭迪寇钰魏本猛尉伟赵永恒朱爱青
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0