朱爱青
- 作品数：10 被引量：6H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>
- 三种聚合物薄膜氦渗透率的测试被引量：2
- 2015年
- 本文提出利用氦质谱检漏仪测量聚合物薄膜渗透性能的方法,即通过聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚酰亚胺(PI)等三种聚合物薄膜对氦(He)的渗透率的测量,结合菲克定律计算相应的薄膜渗透率,并分析比较三种薄膜对He渗透率的大小。实验结果表明三种聚合物薄膜(PET、PDMS、PI)对氦的渗透率分别为:1.07×10^(-7)Pa·m^3/s、2.01×10^(-6)Pa·m^3/s、1.04×10^(-5)Pa·m^3/s,由于玻璃转变温度的差异,三种薄膜渗透率的大小如下:PDMS>PI>PET,玻璃转变温度最高的PE下对He的渗透率最小。本文测试方法的相对合成不确定度为5.79%,且该测试系统进行薄膜渗透性的测试具有测量时间短,操作简单,结果精确等优点。
- 董栋朱爱青王旭迪
- 关键词：氦质谱检漏仪渗透率
- 一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法
- 本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光...
- 王旭迪寇钰魏本猛尉伟赵永恒朱爱青
- 文献传递
- 硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔
- 本发明公开了一种硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔的方法，首先在预处理过的硅片上涂覆一层光刻胶，经全息曝光及ICP浅刻蚀技术在硅片上获得光栅图案。然后在硅片上涂覆一层光刻胶，经湿法腐蚀技术在硅片上获得深槽结构。...
- 王旭迪赵永恒尉伟邱克强朱爱青董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
- 文献传递
- 硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔
- 本发明公开了一种硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔的方法，首先在预处理过的硅片上涂覆一层光刻胶，经全息曝光及ICP浅刻蚀技术在硅片上获得光栅图案。然后在硅片上涂覆一层光刻胶，经湿法腐蚀技术在硅片上获得深槽结构。...
- 王旭迪赵永恒尉伟邱克强朱爱青董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
- 文献传递
- 一种分子流标准漏孔及其制作方法
- 本发明涉及一种分子流标准漏孔及其制作方法。本发明的目的是为了解决现有技术中标准漏孔无法保证在大气压强范围内处于分子流状态，漏率大小可控性差，难以获得预定的漏率大小且制作过程复杂等问题。本发明所提供的标准漏孔，其结构包括第...
- 王旭迪朱爱青尉伟邱克强赵永恒董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
- 文献传递
- 硅-玻璃通道型标准漏孔制作及性能研究
- 由于常用的漏孔不能准确反映泄漏气体的真实流动状态，且难以实现尺寸可控制作。近年来，新型标准漏孔制作及其应用的研究受到广泛关注，寻找尺寸可控、宽压强范围内气体分子流传输的新型漏孔元件成为真空科技领域的一个新的研究热点。 ...
- 朱爱青
- 关键词：标准漏孔硼硅玻璃离子刻蚀工艺参数
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- 一种分子流标准漏孔及其制作方法
- 本发明涉及一种分子流标准漏孔及其制作方法。本发明的目的是为了解决现有技术中标准漏孔无法保证在大气压强范围内处于分子流状态，漏率大小可控性差，难以获得预定的漏率大小且制作过程复杂等问题。本发明所提供的标准漏孔，其结构包括第...
- 王旭迪朱爱青尉伟邱克强赵永恒董栋郑丁杰桑艾霞朱郑乔若
- 文献传递
- 升压法漏率测量装置的研制被引量：2
- 2017年
- 本文介绍了一种基于升压法的漏率测量装置,通过在传统升压法的基础上添加标准室,降低了测量过程中本底放气的影响,全金属密封避免了氦气的渗透,利用数据采集卡和组态王软件实现数据的连续采集和记录。装置测量了104Pa-105Pa下氦气通过测试元件的漏率,并利用检漏仪对测试结果进行了验证,相对误差在5.8%左右。本装置可以实现10^(-8)Pa m^3/s量级以下的漏率的精确测量。
- 朱爱青孙立臣窦仁超赵永恒魏本猛董栋王旭迪
- 微压差装置整体漏率测试方法研究
- 2017年
- 本文基于微压差装置整体漏率的传统测试方法中误差产生原因,选择刚性容器替代大气作为压强测量基准,通过温度计精确测量了微压差装置和基准容器的温度,并采用温度补偿修正泄漏差压以获得整体漏率。通过刚性容器膨胀实验对该方法进行验证,以密闭氧气枕为缩比模型,测量了500Pa微正压下的漏率,结果显示该方法可以获得良好的测量重复性,相对误差低于15%,为微压差装置整体漏率的精确测量奠定了技术基础。
- 袁军行田越寇钰朱爱青杨丹尉伟王旭迪
- 关键词：温度补偿
- 一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法
- 本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光...
- 王旭迪寇钰魏本猛尉伟赵永恒朱爱青
