王倩
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：天津理工大学理学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基于有限元方法的有机场效应晶体管特性模拟与实验验证
- 2016年
- 采用有限元方法,借助多物理场软件COMSOL模拟了底栅顶接触结构有机场效应晶体管电位和载流子浓度随源漏电压Vds的变化。模拟结果表明,当固定栅压V_g=-10 V时,改变V_(ds)从0^-10 V,对于电位分布,从栅极到源漏电极竖直方向有渐进的变化,而从源极到漏极的水平方向呈现由大到小明显的梯度变化。对于载流子浓度,观察到沟道处从源极向漏极逐渐减少,在靠近漏极的区域减少得尤为明显,而当源漏电压等于栅极电压时,产生夹断现象。进一步将模拟结果与实际制备的器件性能进行了对比,模拟结果与实验数据所显示的分布趋势大体相同,印证了模拟的合理性。由此表明,采用模拟方法分析有机场效应晶体管的器件特性,对于实际制备器件具有重要的指导意义。
- 王倩吴仁磊吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管有限元方法电位载流子
- 旋涂速度对制备P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)
- 2015年
- 采用溶液化的方法制备了以PMMA为绝缘层、P3HT为有源层的有机场效应晶体管。研究了P3HT有源层和PMMA绝缘层的旋涂速度对器件性能的影响。实验结果表明,当P3HT和PMMA的旋涂速度均为2 000 r/min时,器件的性能最佳。峰值场效应迁移率为6.84×10-2cm2·V-1·s-1。结果表明,选择适当的旋涂速度是一种有效提高溶液化制备有机场效应晶体管性能的方法。
- 蒋晶郑灵程王倩吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管PMMA
- 衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响
- 2015年
- 通过衬底加热和氧化钼(Mo O3)修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明:当衬底温度为60℃、Mo O3修饰层为10 nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×10-3cm2/(V·s)提高到2.25×10-1cm2/(V·s),阈值电压由12 V降低到3 V。器件性能的改善归因于:衬底加热可以优化有源层形貌,改善载流子传输;而Mo O3修饰层显著降低了电极与有源层之间的接触势垒,提高了载流子的注入。因此,衬底加热与电极修饰对于制备高性能有机场效应晶体管是不可或缺的优化手段。
- 郑灵程蒋晶王倩吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管电极修饰
