张筱颖
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：江南大学物联网工程学院更多>>
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- 一种基于SOI的抗单粒子效应锁相环设计
- 2014年
- 基于0.5μm SOI工艺,设计了一种具有抗单粒子效应的锁相环。重点对压控振荡器进行抗辐照加固,采用电流源放大器实现。与普通结构相比,提高了锁相环在辐照环境下的稳定性。该锁相环最高输出频率达到80MHz,动态电流为12.23mA,抗单粒子效应能力大于37 MeV·cm2/mg。
- 张筱颖张玲周理想于宗光
- 关键词：绝缘体上硅锁相环单粒子效应抗辐照压控振荡器
- 基于异步保存及互锁存储单元的抗SEE触发器设计被引量：1
- 2013年
- 利用Muller_C单元,设计一种异步保存及互锁存储单元结构,该结构采用状态锁存机制和增加节点电容方法,能有效防止单粒子翻转效应的发生,同时也可提高电路抗单粒子瞬变和多节点扰动效应的能力。在0.18μm工艺条件下用此结构设计的D触发器,面积为1 422μm2,动态功耗为0.42mW,建立时间为0.2ns,保持时间为0.03ns。实验结果表明:利用触发器链验证电路,在时钟频率为20 MHz时,单粒子LET翻转阈值为31MeV·cm2/mg,比双互锁存储单元结构的抗单粒子能力提高40%。
- 张筱颖李博周昕杰于跃陈嘉鹏于宗光
- 关键词：单粒子效应触发器
- DICE加固结构触发器的重离子实验研究被引量：1
- 2013年
- 基于0.18μm工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响。对比分析不同频率、不同驱动能力、不同版图结构和不同电压这4种情况下的辐照数据,结果表明:当合理考虑DICE触发器的工作频率、工作电压、版图面积、结点驱动等因素时,电路的翻转次数可降为13次,翻转阈值达到33 MeV·cm2/mg。
- 张筱颖田海燕于宗光
- 关键词：单粒子效应单粒子翻转
