李博
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：江苏省“333工程”培养资金资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于CMOS工艺的差分放大器单粒子瞬态效应研究
- 2014年
- 基于0.35μm CMOS工艺,研究了辐射条件下,单粒子瞬态效应对差分放大器的影响。经过仿真分析发现:差分放大器中偏置电路输出节点对单粒子瞬态效应敏感,偏置电路输出电流大小决定了放大器输出信号抗单粒子瞬态效应的能力。为提高差分放大器的抗单粒子瞬态效应的能力,采取增加偏置电路输出驱动能力以及引入电阻/电容等加固设计技术。经过Hspice仿真及单粒子辐照实验证明,辐射加固后的放大器抗单粒子瞬态扰动能力从未加固的18 MeV·cm2/mg增加到37 MeV·cm2/mg,抗单粒子辐射性能提高了一倍以上。加固后的放大器能够满足航天应用的需求。
- 周昕杰于宗光李博
- 关键词：差分放大器
- 基于异步保存及互锁存储单元的抗SEE触发器设计被引量：1
- 2013年
- 利用Muller_C单元,设计一种异步保存及互锁存储单元结构,该结构采用状态锁存机制和增加节点电容方法,能有效防止单粒子翻转效应的发生,同时也可提高电路抗单粒子瞬变和多节点扰动效应的能力。在0.18μm工艺条件下用此结构设计的D触发器,面积为1 422μm2,动态功耗为0.42mW,建立时间为0.2ns,保持时间为0.03ns。实验结果表明:利用触发器链验证电路,在时钟频率为20 MHz时,单粒子LET翻转阈值为31MeV·cm2/mg,比双互锁存储单元结构的抗单粒子能力提高40%。
- 张筱颖李博周昕杰于跃陈嘉鹏于宗光
- 关键词：单粒子效应触发器
