孙倩
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- N_2-Ar混合射频放电的等离子体特性研究
- N_2-Ar射频放电等离子体广泛应用于微电子工业的刻蚀、气相沉积、氮化物薄膜的制备及金属表面氮化技术等领域。通常在氮气中掺入其它种类气体,可以改善氮气放电的特性,提高氮粒子的活性。本文开发了N_2-Ar混合气体容性耦合射...
- 孙倩张连珠
- 文献传递
- N_2-Ar射频放电表面氮化的等离子体特性模拟
- 2012年
- N2-Ar射频放电等离子体广泛应用于微电子工业的刻蚀、氮化物薄膜的制备及金属表面氮化等技术领域。开发了N2-Ar混合气体容性耦合射频放电PIC/MC自洽模型,模型主要描述了e-,N2+,N+,Ar+等主要带电粒子的行为分布。等离子体的碰撞过程分别考虑了带电粒子(e-,N2+,N+,Ar+)与基态中性N2分子和Ar原子的21种碰撞反应过程。模拟结果表明,在纯N2及N2-Ar混合气体容性耦合射频放电中,各种带电粒子的数密度都在等离子体区达到最大值,且氮分子离子为主要粒子;在N2容性耦合射频放电中,加入10%氩气时,N+平均能量有所增加,在射频电极处两种氮离子(N2+,N+)高能粒子所占比例增加。本研究对认识N2-Ar射频放电等离子体过程微观机理具重要意义。
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- 氮气射频放电与直流放电PIC/MC模拟的比较
- 2012年
- 建立氮气容性射频等离子体过程的PIC/MC模型,将模拟结果与直流放电进行比较.结果表明:射频等离子体粒子(e,N 2+,N+)的平均密度较直流放电约大一个量级,在射频电极附近粒子(e,N 2+,N+)的平均能量比直流放电阴极附近的能量低3倍左右;密度偏低的原子离子N+在两电极附近具较高的能量,能量较低的分子离子N 2+在放电空间具较高密度,N 2+的密度大约是N+的6倍;计算的电子能量几率分布与测量结果一致.
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