赵秀玲
- 作品数：2 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析被引量：7
- 2008年
- 对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响。并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺。
- 吕菲赵权刘春香杨洪星秦学敏赵秀玲
- 关键词：化学腐蚀光洁度粗糙度
- 锗单晶片的碱性腐蚀特性分析被引量：7
- 2007年
- 讨论了锗单晶研磨片在强碱性腐蚀液和弱碱性腐蚀液中的腐蚀特性。研究了锗单晶片在两种不同腐蚀液中的腐蚀速率随腐蚀液温度、浓度的变化规律。通过探索腐蚀速率、表面光洁度及腐蚀去除量和表面粗糙度的关系,可知腐蚀片表面光洁度和腐蚀速率有关而与去除量无关。腐蚀片的表面粗糙度和去除量有关,去除量越大,粗糙度越大。表面粗糙度也与腐蚀液的碱性强弱有关,当去除量相同时,在强碱性腐蚀液中的锗腐蚀片的表面粗糙度更小。在实际应用中,应针对不同目的,选择适宜的化学腐蚀工艺。
- 吕菲刘春香杨洪星赵权于妍赵秀玲
- 关键词：化学腐蚀光洁度粗糙度
