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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇晶片
  • 1篇一致性
  • 1篇散射
  • 1篇抛光片
  • 1篇翘曲度
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇控制方法
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇光散射
  • 1篇光泽度
  • 1篇硅抛光片
  • 1篇VB
  • 1篇GAAS晶片
  • 1篇IPA
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇粗糙度

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇宋晶
  • 3篇赵权
  • 3篇张伟才
  • 2篇杨洪星
  • 1篇武永超
  • 1篇于妍
  • 1篇吕菲
  • 1篇秦学敏

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
晶片表面Haze值研究被引量:5
2011年
介绍了晶片表面Haze值的定义和理论依据,通过对SSIS系统的原理分析,揭示了Haze是一种间接反映晶片表面状态的光学信号。通过对不同表面状态抛光片的光学扫描,研究了晶片表面粗糙度与Haze值的关系;通过对Si抛光片和砷化镓抛光片的扫描对比,研究了晶片本体反射系数对Haze值的影响。研究结果表明,同种材料的Haze值随着表面粗糙度的增大而增大,而不同的材料即使拥有相似的表面粗糙度,Haze值也会因本体反射系数的不同而呈现很大差异。通过对Haze扫描图的特征分析,研究了Haze值分布与晶片表面均匀性的关系,成功地利用Haze值分布将表面性状化,为化学机械抛光和湿法清洗工艺提供了一个新的反馈手段。
张伟才宋晶杨洪星赵权
关键词:光散射表面粗糙度一致性
硅抛光片表面颗粒度控制被引量:4
2010年
硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。
武永超杨洪星张伟才宋晶赵权
VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法被引量:1
2008年
介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法。通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度。经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高。
吕菲赵权于妍秦学敏宋晶
关键词:翘曲度化学腐蚀光泽度
晶片干燥技术综述被引量:3
2012年
在各类晶片中,尤以衬底抛光片的干燥最为困难,容易出现颗粒和水痕等缺陷。以设备为依托的干燥技术发展迅速,离心甩干技术,IPA Vapor干燥,Marangoni干燥和HF/O3干燥是其中较为成功的。
张伟才宋晶
共1页<1>
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