秘瑕
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
- 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化...
- 潘宏菽杨霏商庆杰陈昊冯震彭明明秘瑕李亮闫锐蔡树军杨克武
- 文献传递
- GaN微波器件T型栅的制作方法
- 本发明公开了一种GaN微波器件的T型栅的制作方法，其包括下述步骤：①在GaN基片上生长高温介质层，所述高温介质层的成分为Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>；②在上述高温介质层的上表面生长低温介质层，所...
- 王勇李亮秘瑕彭志农周瑞蔡树军
- SiC功率器件亚微米金属栅完整性的控制
- 在半导体芯片加工方面,目前还没有实用可控的SiC湿法腐蚀方法,开发的SiC微波器件和电力电子器件等工艺的腐蚀都是采用等离子体刻蚀的干法技术,刻蚀台阶形貌的控制成为影响器件性能的主要因素之一.对微波功率SiC MESFET...
- 潘宏菽商庆杰默江辉马杰秘瑕付兴昌
- 高效率GaN MMIC优化技术的研究被引量：1
- 2010年
- 使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响。仿真结果表明,驱动比由2(电路1)增加到3(电路2),效率提高10%。工艺上分别实现了两种电路,测试表明,效率由25%(电路1)提高到30%(电路2),验证了仿真结果。电路2在测试频率为8～10 GHz时,脉冲输出功率大于21 W,增益大于15 dB,效率大于35%;频率为8 GHz时,输出功率最大值为25 W,效率最大值为45%,具有较好的性能。
- 张志国秘瑕王民娟李静强宋建博崔玉兴冯志红付兴昌蔡树军
- 关键词：氮化镓微波单片集成电路高功率
- 用于GaN功率器件的对位标记的制作方法
- 本发明公开了一种用于GaN功率器件的对位标记及其制备方法，属于半导体器件的加工领域。所述用于GaN功率器件的对位标记包括位于GaN基片上的一次金属对位标记和二次金属对位标记，所述一次金属对位标记的金属与所述GaN功率器件...
- 王勇秘瑕周瑞赵金霞张志国蔡树军
- 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
- 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化...
- 潘宏菽杨霏商庆杰陈昊冯震彭明明秘瑕李亮闫锐蔡树军杨克武
- 文献传递
- 用于GaN功率器件的对位标记的制作方法
- 本发明公开了一种用于GaN功率器件的对位标记及其制备方法，属于半导体器件的加工领域。所述用于GaN功率器件的对位标记包括位于GaN基片上的一次金属对位标记和二次金属对位标记，所述一次金属对位标记的金属与所述GaN功率器件...
- 王勇秘瑕周瑞赵金霞张志国蔡树军
- 文献传递
- GaN微波器件T型栅的制作方法
- 本发明公开了一种GaN微波器件的T型栅的制作方法，其包括下述步骤：①在GaN基片上生长高温介质层，所述高温介质层的成分为Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>；②在上述高温介质层的上表面生长低温介质层，所...
- 王勇李亮秘瑕彭志农周瑞蔡树军
- 文献传递
