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文献类型

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领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇研磨剂
  • 1篇砂浆
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  • 1篇金相显微镜
  • 1篇晶片
  • 1篇晶向
  • 1篇硅单晶
  • 1篇

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇李保军
  • 1篇佟丽英
  • 1篇张伟才
  • 1篇高丹
  • 1篇赵权
  • 1篇冯涛

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种偏离&lt;100&gt;晶向9<Sup>o</Sup>锗单晶片位错密度测量方法
本发明公开了一种偏离&lt;100&gt;晶向9º锗单晶片位错密度测量方法,包括配制腐蚀液:氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液体积比为1:2.8‑3.2:1.8‑2.2;腐蚀:将锗抛光片置于花篮中,将花篮放入腐蚀液中,腐蚀时间为...
高丹佟丽英赵权张伟才武永超李保军
文献传递
硅单晶锭多线切割中砂浆作用的研究被引量:14
2007年
目前,在较长的硅单晶锭切割领域,多线切割机已基本取代内圆切片机。切割砂浆在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。讨论了砂浆的使用条件与切割质量之间的关系,通过试验及对高速摄像机拍摄照片的分析,得出不同砂浆携带方式直接影响到切割出晶片几何参数的结论,并且对多线切割的切割机理作了相应的讨论。
李保军冯涛
共1页<1>
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