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高丹

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇抛光片
  • 2篇切取
  • 2篇金相
  • 2篇金相显微镜
  • 2篇画格
  • 2篇硅单晶
  • 2篇腐蚀坑
  • 1篇单晶片
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇酸腐蚀
  • 1篇碳酸锂
  • 1篇热处理炉
  • 1篇坩埚
  • 1篇微镜观察
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇显微镜
  • 1篇显微镜观察
  • 1篇炉管

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇高丹
  • 5篇佟丽英
  • 3篇杨洪星
  • 2篇赵权
  • 1篇杨静
  • 1篇康洪亮
  • 1篇韩焕鹏
  • 1篇张伟才
  • 1篇李保军

传媒

  • 2篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究被引量：1
2019年
背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法。
高丹康洪亮徐强佟丽英
关键词：APCVDSIO2膜
一种铌酸锂基片的黑化方法
本发明公开了一种铌酸锂基片的黑化方法。本方法采用的还原试剂由铁粉和碳酸锂粉末混合而成，铌酸锂基片的黑化步骤为：1、在方形刚玉坩埚中放入铁粉和碳酸锂混合物；2、将铌酸锂基片平放埋入混合物中；3、将方形刚玉坩埚放入热处理炉中...
王雄龙杨洪星范红娜杨静韩焕鹏陈晨赵权高丹
文献传递
一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
本发明涉及一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。第一步：从预用单晶棒的头尾切取硅片,加工成抛光片；第二步：模拟键合工艺的热过程，将硅片在400℃～600℃条件下进炉热处理3～5小时后取出；第三步：深度化学腐蚀，腐蚀时间为4...
高丹佟丽英杨洪星陈晨高孟
文献传递
一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
本发明涉及一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。第一步：从预用单晶棒的头尾切取硅片,加工成抛光片；第二步：模拟键合工艺的热过程，将硅片在400℃～600℃条件下进炉热处理3～5小时后取出；第三步：深度化学腐蚀，腐蚀时间为4...
高丹佟丽英杨洪星陈晨高孟
文献传递
一种偏离&lt;100&gt;晶向9<Sup>o</Sup>锗单晶片位错密度测量方法
本发明公开了一种偏离&lt;100&gt;晶向9º锗单晶片位错密度测量方法，包括配制腐蚀液：氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液体积比为1：2.8‑3.2：1.8‑2.2；腐蚀：将锗抛光片置于花篮中，将花篮放入腐蚀液中，腐蚀时间为...
高丹佟丽英赵权张伟才武永超李保军
文献传递
SiO_2膜背封片边缘剥离工艺进展
2016年
背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的特点进行了分析。
高丹佟丽英
关键词：酸腐蚀
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