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刘六亭

作品数：11 被引量：8H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

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地区

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共 26 条 记 录，以下是 1-10
王因生
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑承志
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅脉冲功率晶体管 功率晶体管 硅 脉冲 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆春一
供职机构：信息产业部
研究主题：硅 硅外延 自掺杂 英寸 硅外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马林宝
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：硅外延片 英寸 电阻率 掺砷衬底 P
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭卫东
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率晶体管 硅 硅脉冲功率晶体管 晶体管 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张树丹
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：功率晶体管 硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 微波功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭卫东
供职机构：信息产业部
研究主题：英寸 硅外延片 掺砷衬底 硅材料 控制方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马利行
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：硅外延片 英寸 P 掺砷衬底 硅外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲洋
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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