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李亚丽

作品数：20 被引量：10H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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冯震
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：X波段 输出功率 SIC_MESFET HFET ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
商庆杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：谐振器 腔体 衬底 压电层 滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘宏菽
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：SIC_MESFET 碳化硅 微波 SIC S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周瑞
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：功率器件 击穿电压 肖特基势垒 ALGAAS/GAAS 微波功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张雄文
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 金刚石 场效应晶体管 绝缘衬底 串联电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐海涛
供职机构：天津大学电子信息工程学院
研究主题：负阻 异质结双极晶体管 RTT 电流峰谷比 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭维廉
供职机构：天津大学
研究主题：共振隧穿二极管 RTD 负阻器件 共振隧穿器件 负阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍玉柱
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：碳化硅 SIC_MESFET 淀积 功率器件 干法刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王磊
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：滤波器技术 芯片 滤波器 薄膜体声波谐振器 输出端子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨霏
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：碳化硅 SIC_MESFET SIC 金属-半导体场效应晶体管 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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