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王雷

作品数：142 被引量：34H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 3C-SIC 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫果果
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 半导体激光器 真空系统 激光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗木昌
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：3C-SIC ALGAN SI衬底 碳化硅 日盲紫外
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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