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傅义珠

作品数：22 被引量：34H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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共 38 条 记 录，以下是 1-10
王因生
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佃利
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛国兴
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 微波 功率 大功率管 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李相光
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康小虎
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅脉冲功率晶体管 硅 功率晶体管 微波功率晶体管 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁晓明
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张树丹
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：功率晶体管 硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 微波功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴学梅
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅脉冲功率晶体管 大功率管 功率晶体管 功率 结温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林川
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：S波段 功率晶体管 高增益 硅脉冲功率晶体管 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志楠
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 L波段 功率管 宽带 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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