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梁建军

作品数：6 被引量：22H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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地区

  • 10个北京市
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
陈维德
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 GAN 掺铒 GAN薄膜 铒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永谦
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：掺铒 光致发光 铒 硅基发光 基片温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许振嘉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅化物 砷化镓 欧姆接触 光致发光 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常勇
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：光致发光 HG CD HGCDTE 汞镉碲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾诠
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 俄歇电子能谱 蓝宝石 氧化铝 钛
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马智训
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：光致发光 纳米硅 氧化硅 纳米硅薄膜 SIO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 氧化硅 SIO 反应机理 金属薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖显伯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：太阳电池 非晶硅 H A-SI 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢小龙
供职机构：中国科学院
研究主题：欧姆接触 砷化镓 N-GAAS 快速热退火 热退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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