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王良臣

作品数：95 被引量：156H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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伊晓燕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 金属电极
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马龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：共振隧穿二极管 GAN 大功率 RTD 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 氮化镓 功率型LED 电极 热模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭金霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 发光器件 欧姆接触电极 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王立彬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 热模拟 GAN基LED 氮化镓 功率型LED
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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