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董志远
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56
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H指数:6
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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合作作者
赵有文
中国科学院大学材料科学与光电技...
段满龙
中国科学院半导体研究所
杨俊
四川大学物理科学与技术学院应用...
李晋闽
中国科学院半导体研究所
魏学成
中国科学院半导体研究所
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赵有文
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 单晶生长 半绝缘 砷化铟 ZNO单晶
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段满龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 单晶 衬底 INP单晶
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杨俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 半绝缘
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李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
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魏学成
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 ZNO单晶 大尺寸 氮化镓 ZNO
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孙文荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
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杨凤云
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:锑化镓 GASB 衬底 INAS 钝化
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王应利
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
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刘京明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:锑化镓 砷化铟 单晶片 晶片 砷
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胡炜杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 衬底 INAS INP 表面形貌
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