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邹世昌

作品数：200 被引量：248H指数：9
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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林成鲁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柳襄怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子束增强沉积 离子束辅助沉积 离子注入 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈鸿烈
供职机构：南京航空航天大学
研究主题：磁控溅射 太阳电池 多晶硅 巨磁电阻 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨根庆
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子注入 小卫星 单粒子瞬态脉冲 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡志远
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 沟槽隔离 总剂量效应 深亚微米器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李铁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：硅纳米线 各向异性腐蚀 石墨烯 气体传感器 纳米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈勤我
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：巨磁电阻效应 巨磁电阻 过渡层 多孔硅 电子束蒸发
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁冰旭
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 沟道 沟槽隔离 深亚微米器件 微米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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