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金泗轩
作品数:
23
被引量:16
H指数:3
供职机构:
北京大学物理学院技术物理系
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发文基金:
国家自然科学基金
国家教委资助优秀年轻教师基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
陈开茅
北京师范大学低能核物理研究所
张国义
北京大学物理学院技术物理系
童玉珍
北京大学物理学院技术物理系
杨志坚
北京大学物理学院技术物理系
秦国刚
四川师范学院化学系
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陈开茅
供职机构:北京大学物理学院
研究主题:砷化镓 深能级 异质结 硅 界面态
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所获资助
研究领域
张国义
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
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供职机构
所获资助
研究领域
童玉珍
供职机构:北京大学物理学院
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD生长 MOCVD INGAN
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供职机构
所获资助
研究领域
杨志坚
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
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供职机构
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秦国刚
供职机构:北京大学
研究主题:光致发光 多孔硅 硅 电致发光 纳米硅
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所获资助
研究领域
李传义
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:C_ 碳60 高温超导体 异质结 超导体
发表作品
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供职机构
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研究领域
周锡煌
供职机构:北京大学
研究主题:C_ 碳60 富勒烯 碳70 碳纳米管
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吴克
供职机构:北京大学物理学院
研究主题:C_ 碳60 异质结 砷化镓 多层膜
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顾镇南
供职机构:北京大学
研究主题:富勒烯 碳纳米管 单壁碳纳米管 C_ 碳60
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研究领域
刘鸿飞
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:砷化镓 界面态 深能级 SIO GAAS
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