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高汉超

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 12个电子电信
  • 8个化学工程
  • 7个一般工业技术
  • 4个机械工程
  • 3个金属学及工艺
  • 3个自动化与计算...
  • 3个交通运输工程
  • 3个文化科学
  • 1个理学

主题

  • 10个晶体管
  • 10个半导体
  • 9个外延层
  • 8个异质结
  • 8个碳化硅
  • 8个外延片
  • 7个单晶
  • 7个氮化镓
  • 7个电路
  • 6个原位生长
  • 6个晶格
  • 5个淀积
  • 5个射频
  • 5个射频器件
  • 5个基极
  • 4个单晶薄膜
  • 4个单晶生长
  • 4个氮化
  • 4个氮化硅
  • 4个氮化铝

机构

  • 12个中国电子科技...

资助

  • 1个国家高技术研...
  • 1个国家自然科学...
  • 1个国家部委预研...

传媒

  • 1个半导体技术
  • 1个人工晶体学报
  • 1个光电子技术
  • 1个信息技术与标...
  • 1个第11届全国...
  • 1个第十五届全国...

地区

  • 12个江苏省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
李忠辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化物 成核 单晶薄膜 氮化镓 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超晶格结构 超晶格 层数 GAAS衬底 半导体薄膜材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴维丽
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：外延片 集成电路 微波功率器件 碳化硅 D试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王伟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP衬底 阀门关闭 硅基 四元合金 束流位置
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：磷化铟 发射极 金属 圆片 旋涂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化物 氮化铝 成核 氮化镓 晶体质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 外延片 硅外延 外延层 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 外延层 外延片 硅外延 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王元
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金属 磷化铟 发射极 衬底 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志明
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：硅衬底 碳化硅薄膜 载气 超晶格 层数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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