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齐德格

作品数:11 被引量:9H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金:“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

领域

  • 8个电子电信
  • 2个理学
  • 1个环境科学与工...
  • 1个文化科学

主题

  • 8个单晶
  • 8个砷化镓
  • 7个砷化镓单晶
  • 6个英寸
  • 6个半绝缘
  • 6个半绝缘砷化镓
  • 6个半绝缘砷化镓...
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  • 3个双掺杂
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机构

  • 6个中国电子科技...
  • 3个天津电子材料...
  • 2个中华人民共和...
  • 1个河北工业大学
  • 1个电子工业部
  • 1个电子部

资助

  • 1个国家高技术研...
  • 1个国家自然科学...
  • 1个天津市自然科...
  • 1个“九五”国家...
  • 1个国家部委资助...
  • 1个河北省自然科...

传媒

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  • 2个第十二届全国...
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  • 1个科技创新导报
  • 1个第十三届全国...
  • 1个全国化合物半...
  • 1个全国化合物半...
  • 1个中国有色金属...

地区

  • 7个天津市
  • 1个北京市
8 条 记 录,以下是 1-8
赖占平
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:砷化镓 GAAS单晶 半绝缘砷化镓 集成电路 SI-GAAS材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春锋
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:VGF GAAS 砷化镓 单晶生长 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高瑞良
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:半绝缘 半导体物理学 晶片 LEC 半绝缘砷化镓单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高峰
供职机构:中华人民共和国工业和信息化部
研究主题:计费准确性 话单 移动通信网络 层次分析法 检测仪表
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高瑞良
供职机构:天津电子材料研究所
研究主题:半导体材料 合成工艺 单晶生长 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晏凤
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:GAAS 合成技术 多晶 铟 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛沈军
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:位错密度 砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨连生
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:GAAS 合成技术 多晶 铟 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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