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翟富义

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
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合作作者

领域

  • 8个电子电信
  • 1个一般工业技术

主题

  • 8个单晶
  • 7个硅单晶
  • 6个抛光片
  • 6个重掺硅
  • 5个氧化诱生层错
  • 5个直拉硅
  • 5个直拉硅单晶
  • 5个重掺杂
  • 5个无铬
  • 4个硅片
  • 4个SI单晶
  • 4个CR
  • 3个单晶硅
  • 3个电路
  • 3个损伤层
  • 3个位错
  • 3个吸除
  • 3个磨片
  • 3个集成电路
  • 2个单晶拉制

机构

  • 8个北京有色金属...
  • 1个北京大学
  • 1个清华大学

资助

  • 5个国家科技重大...
  • 2个国家自然科学...

传媒

  • 5个半导体技术
  • 4个Journa...
  • 4个稀有金属
  • 1个电子学报
  • 1个电子显微学报
  • 1个中国有色金属...
  • 1个第十一次全国...

地区

  • 8个北京市
共 8 条 记 录，以下是 1-8
张椿
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：硅片 硅 硅片键合 IC 硅单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尤重远
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：硅片 IC 循环性能 高温合成 硅单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘峥
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：红外探测器 微结构 微结构研究 异质结 硅片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙燕
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：抛光片 氧化诱生层错 硅片表面 硅片 表面光电压法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹孜
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：氧化诱生层错 CR SI单晶 硅单晶 抛光片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石宇
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：氧化诱生层错 CR SI单晶 硅单晶 抛光片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李惠
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：氧化诱生层错 CR SI单晶 硅单晶 抛光片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
边永智
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：尺寸 晶圆 产品尺寸 氧化诱生层错 机械手
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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