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毛卫东

作品数：1 被引量：2H指数：1
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孙同年
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王柱
供职机构：武汉大学
研究主题：正电子湮没 正电子 正电子寿命 GASB 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王少阶
供职机构：武汉大学
研究主题：正电子湮没 正电子 谱学研究 自由体积 高聚物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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