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毛卫东

作品数:1 被引量:2H指数:1
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孙同年
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王柱
供职机构:武汉大学
研究主题:正电子湮没 正电子 正电子寿命 GASB 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王少阶
供职机构:武汉大学
研究主题:正电子湮没 正电子 谱学研究 自由体积 高聚物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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