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茂德科技股份有限公司

作品数：299 被引量：0H指数：0
相关机构：华邦电子股份有限公司力晶半导体股份有限公司南亚科技股份有限公司更多>>
相关领域：文化科学自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 299篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 89篇存储器
  • 49篇蚀刻
  • 44篇电极
  • 37篇半导体
  • 35篇电容
  • 35篇栅极
  • 30篇基底
  • 30篇存取
  • 29篇掺杂
  • 27篇掩模
  • 26篇电容器
  • 26篇栅极结构
  • 26篇晶体管
  • 25篇随机存取
  • 25篇沟渠
  • 24篇相变
  • 22篇随机存取存储...
  • 22篇绝缘
  • 20篇电路
  • 19篇基板

机构

  • 299篇茂德科技股份...
  • 73篇华邦电子股份...
  • 72篇财团法人工业...
  • 72篇南亚科技股份...
  • 72篇力晶半导体股...
  • 1篇科技公司
  • 1篇台湾茂矽电子...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 16篇2010
  • 71篇2009
  • 67篇2008
  • 41篇2007
  • 35篇2006
  • 40篇2005
  • 13篇2004
  • 5篇2002
共 299 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
相变存储器装置及其制造方法
本发明提供一种相变存储器装置，包括：基板；电极层，形成于上述基板上；相变存储器结构，形成于上述电极层上，且电连接至上述电极层，其中上述相变存储器结构包括：杯形加热电极，设置于上述电极层上；绝缘层，沿第一方向设置于上述杯形...
陈维恕陈颐承许宏辉李乾铭赵得胜陈志伟蔡铭进
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去除深沟槽结构中半球形晶粒硅层的方法
本发明提供去除深沟槽结构中半球形晶粒硅的方法，其利用一埋藏硅锗层作为蚀刻终止层，并以湿式蚀刻工艺去除半球形晶粒硅。湿式蚀刻工艺所用的氢氧化钾/丙酮/水混合液对半球形晶粒硅与埋藏硅锗层的蚀刻速率选择性很高，因此在去除半球形...
巫勇贤
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错误检测系统及其管理方法
一种错误检测系统包含用以搜集机台的参数的数据服务器、可在该参数超出预设规范时发出异常信号的错误感应模块、可在该错误感应模块不正常工作时予以重启动的监控模块、用以控制该数据服务器、该错误感应模块及该监控模块的远端控制器。该...
杨正杰林文迪邱皇文
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高深宽比结构的制备方法
本发明揭示一种高深宽比结构的制备方法，其中该高深宽比结构可为一沟槽或一导体。本发明在形成一第一屏蔽于一基板上之后，进行一第一蚀刻工艺，其部分移除未被该第一屏蔽覆盖的基板以形成至少一凹部。之后，形成一第二屏蔽于该第一屏蔽上...
吕泓岳张宏隆李永凯张智豪
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相变化存储装置及其制造方法
本发明关于一种相变化存储装置及其制造方法。该相变化存储装置包括：下电极、第一非金属层、第一电性接触层、介电层和第二电性接触层。开口贯穿该第二电性接触层、该介电层、及该第一电性接触层，且该开口的底部以该第一非金属层与该下电...
陈达
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蚀刻方法及开口的形成方法
一种蚀刻方法，可以防止在晶片上形成颗粒，首先于硅材料上形成图案化光致抗蚀剂层。接着，在蚀刻机台中，以图案化光致抗蚀剂层为掩模，利用溴化氢作为反应气体对硅材料进行一个蚀刻工艺。然后，以阶梯式降压的方式关闭蚀刻机台的射频电源...
林义雄谢传贤陈芊蓉邱朝顺
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快闪存储器结构及其制备方法
本发明的快闪存储器结构包含一具有一V型凹槽的基板、一设置于该基板中的第一掺杂区、二个设置于该V型凹槽两侧的基板中的第二掺杂区、一设置于该基板表面的介电堆叠结构以及一设置于该V型凹槽上方的介电堆叠结构表面的导电层，其中介电...
陈世芳高建纲
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相变存储单元控制装置及增加相变存储单元可靠度的方法
本发明提供一种相变存储单元控制技术，以令彼此间具有工艺误差的多个相变存储单元在设定模式下具有相同的电阻值。
江培嘉许世玄林烈萩林文斌
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动态随机存取存储器制造方法及结构
本发明公开了一种具有沟渠式电容器的动态随机存取存储器(DRAM)的制造方法及结构。此DRAM制造方法是在通道区的邻接隔离区的部分形成掺杂型态与基底相同的掺杂区，此掺杂区是由一倾斜离子注入步骤所形成，且此倾斜离子注入步骤是...
李岳川陈赐龙
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电容器及其制造方法
本发明公开了一种电容器及其制造方法。该电容器包括：第一介电层；沟槽，设置于该第一介电层内，具有第一直径；第一导电层，顺应地设置于该沟槽内为该沟槽所露出的该第一介电层的底面与侧壁上；多个导电插拴，设置于该第一导电层的底面上...
吴孝哲李名言蔡文立
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