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力晶半导体股份有限公司

作品数：653 被引量：0H指数：0
相关机构：南亚科技股份有限公司华邦电子股份有限公司财团法人工业技术研究院更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 653篇中文专利

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 217篇存储器
  • 166篇栅极
  • 162篇基底
  • 107篇掩模
  • 100篇半导体
  • 81篇图案化
  • 75篇导体
  • 71篇源极
  • 67篇非挥发性存储...
  • 61篇极区
  • 57篇晶片
  • 55篇掺杂
  • 51篇栅极结构
  • 47篇电极
  • 45篇闪存
  • 45篇漏极
  • 45篇半导体元件
  • 44篇蚀刻
  • 42篇非易失性
  • 34篇基底表面

机构

  • 653篇力晶半导体股...
  • 72篇茂德科技股份...
  • 72篇财团法人工业...
  • 72篇华邦电子股份...
  • 72篇南亚科技股份...
  • 19篇株式会社瑞萨...
  • 2篇力捷电脑股份...

年份

  • 9篇2011
  • 33篇2010
  • 122篇2009
  • 173篇2008
  • 140篇2007
  • 98篇2006
  • 46篇2005
  • 32篇2004
共 653 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
湿式清洁工艺的监测设备及其监控方法
一湿式清洁工艺的监测设备，用于具有至少一清洁刷手臂及一流体提供单元的一湿式清洁机台，当该手臂清洁晶片时，流体提供单元提供一流体于晶片，监测设备至少包含：手臂位置感测器连接于清洁刷手臂，当清洁刷手臂清洁该物件时，手臂位置感...
吴牧融陈冠名任建国古金山陈其瓒
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半导体制造的数据追踪方法与系统
一种数据追踪方法。读取一晶片批量的分批历史数据，并且判断是否读取到该晶片批量的分批数据尾端。若未读取到该晶片批量的分批数据尾端，则决定该晶片批量在执行一分批处理时所需的一最大分批次数。根据该最大分批次数与目前分批次数决定...
何煜文刘姿秀
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相变化存储器元件及其制造方法
本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。第一介电层具有侧壁。下电极邻接第一介电层的侧壁，其中下电极包括种晶层和导电层。第二介电层邻接下电极相对第一介电层的另一侧。上电极，经由相变化层耦接下电极。
萧在莒
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虚拟测量预估模型的适用性选择方法与系统
一种虚拟测量预估模型的适用性选择方法。首先，取得机台的历史工艺数据。分析该历史工艺数据并产生机台维修保养后的数据群落，并且根据该等数据群落建立多个虚拟测量预估模型。将该等虚拟测量预估模型加入一虚拟测量引擎中的一虚拟测量模...
罗皓觉戴鸿恩赖雪芬
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非挥发性存储器及其制造方法与操作方法
一种非挥发性存储器，具有基底、选择晶体管及沟槽式晶体管。选择晶体管设置于基底上，此选择晶体管包括设置于基底上的第一栅极及分别设置于第一栅极两侧的基底中的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。沟槽式晶体管设置于该基底中，此沟...
杨青松翁伟哲卓志臣
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相变化存储装置及其制造方法
一种相变化存储装置，包括：导电构件，设置在介电层中；相变化材料层，设置在介电层中；和导电层，延伸在介电层中，以分别电连接相变化材料层与导电构件的侧壁。
李亨元赵得胜
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接触窗开口的形成方法与半导体元件的制造方法
一种接触窗开口的形成方法，此方法先提供基底，此基底上已形成有多个元件结构，且此元件结构与基底表面上覆盖有第一介电层与导体层，而且导体层于两相邻元件结构之间具有一凹陷处。之后，于凹陷处形成一对复合间隙壁。继之，以复合间隙壁...
黄明山王炳尧赖亮全
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相变化存储器阵列及其制造方法
本发明公开了一种相变化存储器阵列及其制造方法。该相变化存储器阵列包括第一单元与第二单元。该第一单元包括一图形化相变化层，该第二单元包括一图形化相变化层。第一单元的图形化相变化层和第二单元的图形化相变化层位于不同层。
赵得胜
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相变化存储器及其制造方法
本发明有关于一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含：基底；第一电极层，形成于该基底之上；具有环状或条状相变化层，与第一电极电连结；以及，第二电极，形成于该相变化层上，并与该相变化层电连结，其中该第一电极与第二电...
卓言许宏辉
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闪存元件的结构及其制造方法
一种闪存元件的结构，此闪存元件是由具有一开口的P型基底、设置于P型基底中的深N型阱区、分别设置于开口侧壁的第一栅极结构与第二栅极结构、设置于第一栅极结构与第二栅极结构之间的间隙的绝缘层、设置于开口底部的P型基底中的源极区...
洪至伟黄明山
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