您的位置： 专家智库 > >

南亚科技股份有限公司

作品数：2,860 被引量：0H指数：0
相关机构：力晶半导体股份有限公司华邦电子股份有限公司财团法人工业技术研究院更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 2,860篇中文专利

领域

  • 237篇自动化与计算...
  • 218篇电子电信
  • 128篇经济管理
  • 90篇文化科学
  • 46篇电气工程
  • 40篇一般工业技术
  • 36篇金属学及工艺
  • 20篇矿业工程
  • 19篇化学工程
  • 9篇天文地球
  • 9篇医药卫生
  • 5篇建筑科学
  • 5篇交通运输工程
  • 3篇机械工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇理学
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇艺术

主题

  • 1,392篇半导体
  • 704篇基底
  • 558篇半导体元件
  • 428篇存储器
  • 415篇导体
  • 374篇半导体结构
  • 277篇电路
  • 271篇蚀刻
  • 237篇导电
  • 236篇栅极
  • 226篇基板
  • 193篇图案
  • 181篇电性
  • 163篇图案化
  • 162篇电容
  • 158篇元件
  • 153篇绝缘
  • 150篇芯片
  • 150篇封装
  • 149篇半导体装置

机构

  • 2,860篇南亚科技股份...
  • 72篇茂德科技股份...
  • 72篇财团法人工业...
  • 72篇华邦电子股份...
  • 72篇力晶半导体股...
  • 2篇奇梦达股份公...

年份

  • 481篇2024
  • 392篇2023
  • 249篇2022
  • 244篇2021
  • 169篇2020
  • 87篇2019
  • 62篇2018
  • 56篇2017
  • 98篇2016
  • 123篇2015
  • 102篇2014
  • 179篇2013
  • 148篇2012
  • 63篇2011
  • 72篇2010
  • 93篇2009
  • 56篇2008
  • 23篇2007
  • 44篇2006
  • 51篇2005
共 2,860 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
具有填充层的半导体元件的制备方法
本申请公开一种半导体元件的制备方法，其包括：提供一底部导电层；形成一导电结构，包含：在该底部导电层上形成一导电凹面层，其中该导电凹面层包含具有V形截面轮廓的一顶面；以及在该导电凹面层上形成一导电填充层；以及在该导电结构上...
黄则尧
存储器装置及其操作方法
本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，存储器装置包含多个数据接收器、多个电压产生器以及至少一个通道门。多个数据接收器包含第一数据接收器。多个电压产生器耦接至数据接收器，且包含第一电压产生器，其中第一电压产生器用以产生用...
陈至仁
文献传递
半导体结构及其形成方法
本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基板、漏极区、字线、栅极结构以及第一位线。漏极区设置于基板上。字线设置于漏极区上。栅极结构设置于漏极区上，并且栅极结构具有位于字线的部分。第一位线设置于栅极结构上，第...
章思尧
半导体结构及其制造方法
本公开提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一半导体基底、一多层堆叠、一开关元件以及一空隙。该多层堆叠埋入在该半导体基底内。该多层堆叠包括一第一填充层及在该第一填充层下方的一第二填充层，该第一填充层具有一第一蚀...
卢立翰
文献传递
半导体结构及其制备方法
本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底、一底部栅极部，设置在该基底中、一顶部栅极部，堆叠在该底部栅极部上、一第一通道层，夹置在该顶部栅极部和该底部栅极部之间，以及一源极/漏极区，设置在该基底中的顶部...
谢承宪吕增富蔡镇宇黄竞加廖伟明
形成密集间距图案的方法
本发明提供了一种形成密集间距图案的方法。首先提供一目标图案包含多个第一条状图案，第一条状图案具有一第一宽度以及一第一长度。接着提供一光掩膜具有多个第二条状图案对应于第一条状图案，其中第二条状图案具有一第二宽度以及一第二长...
吴俊伟
文献传递
非挥发性存储器及其制作方法
本发明涉及一种非挥发性存储器，其包括栅极结构以及源极/漏极区。栅极结构配置于基底上。栅极结构包括一对浮置栅极、穿隧介电层、控制栅极以及栅间介电层。浮置栅极配置于基底上。穿隧介电层配置于每一个浮置栅极与基底之间。控制栅极配...
廖伟明张明成黄建章
文献传递
具有复合互连结构的半导体元件结构及其制备方法
一种半导体元件结构包含第一下半导体结构。半导体元件结构亦具有第一上半导体结构，覆盖第一下半导体结构的上表面以及第一侧壁。半导体元件结构还具有第一氧化物部，设置在半导体基底上并沿着第一下半导体结构的第二侧壁延伸。半导体元件...
黄则尧
电压产生器及其电压产生方法
本公开提供一种电压产生器及其电压产生方法。电压产生器包括至少一个第一电荷泵电路、至少一个第二电荷泵电路、振荡器、传递电路及电压检测器。第一电荷泵电路被配置成接收时钟信号以产生第一泵电压。第二电荷泵电路被配置成接收时钟信号...
许庭硕
凹陷存取装置及其制造方法
一种凹陷存取装置的制造方法包含以下操作。形成沟槽于基板中。通过氧化沟槽的内表面以在基板内形成栅极氧化层。形成第一栅极层于沟槽的底部中，其中在第一栅极层之上的栅极氧化层的一部分从沟槽中暴露。形成第二栅极层于沟槽中以覆盖第一...
黄至伟樊旭诚
全选 清除 导出
共286页<12345678910>
聚类工具0