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集成电路研磨平坦化的方法
一种半导体芯片表面平坦化方法包括:涂布一层聚合物材质在凹槽图样的半导体芯片上,热硬化处理聚合物材质而形成一硬化的聚合物层并进行N<Sub>2</Sub>O气体等离子体处理后,使部分聚合物材质转变成二氧化硅类材质且可被传统...
刘萍
文献传递
非易失性内存及其制作工艺
本发明涉及一种非易失性内存及其制作工艺,非易失性内存包括:一半导体基板;一氧化层/氮化物层/氧化层的复合介电层,形成于所述半导体基板上;一浮动栅,形成于所述氧化层/氮化物层/氧化层的复合介电层上;以及一控制栅,形成于所述...
周国煜
文献传递
动态随机存取存储器及其制造方法
本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法,包括在衬底上的多个位线堆叠图案,在位线堆叠图案的侧壁上的多个间隔件、与衬底的有源区电性连接的多个电容接触结构,覆盖电容接触结构、间隔件的第一部分和位线堆叠图案的一部分的电容着...
池田典昭
非易失性存储器的装置及其擦除操作方法
本发明提供一种非易失性存储器的擦除操作方法被提供。该方法包括:执行第一擦除操作,包括通过第一擦除脉冲以降低非易失性存储器的多个存储单元中各存储单元的阈值电压;执行第一验证操作,以确认前述多个存储单元中各存储单元的阈值电压...
黄科颖
半导体结构及其形成方法
本发明提供一种半导体结构及其形成方法,该方法包含:依序形成第一至第三牺牲层于基板上。基板包含存储器单元区域及周边区域。周边区域包含字线区域。移除字线区域中的第二及第三牺牲层,以暴露位于字线区域中的第一牺牲层的顶表面。移除...
庄哲辅
廖修汉
电阻式内存装置、其操作方法及其内存晶胞阵列
本发明提供一种电阻式内存装置包括内存晶胞阵列、至少一虚置晶体管及控制电路。内存晶胞阵列包括多个内存晶胞。各内存晶胞包括电阻转换元件。虚置晶体管与电阻转换元件电性绝缘。控制电路耦接至内存晶胞阵列及虚置晶体管。控制电路用于提...
林铭哲
魏敏芝
王炳琨
陈侑廷
傅志正
白昌宗
电源下降重置电路以及电源下降重置信号产生方法
本公开涉及一种电源下降重置电路,包括但不限于:第一步骤电路,用以检测每单位时间的供电电压的变化,并响应于第一步骤电路判断每单位时间的供电电压的变化下降至零以下,以传送致能信号,其中,当每单位时间的Vcc的变化大于或等于零...
黄科颕
存储器装置以及提供数据选通信号的方法
本发明提供一种存储器装置以及提供数据选通信号的方法,所述存储器装置包含:延迟锁定回路(DLL)电路,其接收外部时脉,并且以DLL延迟时间来延迟外部时脉以提供DLL时脉;输出驱动器,其将DLL时脉输出为数据选通信号;以及D...
崔明灿
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快闪存储器及其编程方法
本发明提供一种快闪存储器及其编程方法。一种快闪存储器的编程方法包括:校验读出,在对选择字线施加编程电压后,验证选择存储单元的阈值是否合格,校验读出包括将电压预充电至位线的步骤、使经预充电的位线的电压能够放电至源极线的步骤...
白田里一郎
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半导体元件的制造方法
本发明公开了一种半导体元件的制造方法,包括以下步骤。在基底中形成多个隔离结构,其中每一隔离结构的顶表面高过于基底的顶表面,而相邻的隔离结构和位于其间的基底定义出第一沟渠。在基底上形成覆盖所述多个隔离结构且部分填满每一第一...
刘鍊尘
何佳哲
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