李妤晨
- 作品数：98 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西安科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种SOI三应变平面BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种SOI三应变平面BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极，形成SiGe？HBT器件；光刻NMOS器件有...
- 王斌宣荣喜张鹤鸣胡辉勇宋建军舒斌李妤晨郝跃
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- 一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极，形成SiGe HBT器件；在衬...
- 胡辉勇宋建军宣荣喜舒斌张鹤鸣李妤晨吕懿郝跃
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- 一种基于三多晶SiGe HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了基于三多晶SiGe？HBT的混合晶面应变BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；刻蚀双极器件有源区，生长N型Si外延，制备集电区，...
- 张鹤鸣李妤晨胡辉勇宋建军王海栋宣荣喜舒斌郝跃
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- 一种SOI应变SiGe BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种制备SOI应变SiGe？BiCMOS集成器件及电路制备方法，在SOI衬底片上的双极器件区域制造常规的SOI双极晶体管；在SOI衬底上光刻MOS有源区，在该有源区生长应变SiGe材料，分别形成NMOS和PM...
- 胡辉勇宋建军李妤晨张鹤鸣宣荣喜舒斌戴显英郝跃
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- 应变Si NMOSFET漏电流解析模型被引量：2
- 2013年
- 基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度饱和效应和沟道长度调制效应的影响,进一步提高了模型精度.通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性.该模型可为应变Si数字集成电路和模拟集成电路分析、设计提供重要参考.
- 周春宇张鹤鸣胡辉勇庄奕琪吕懿王斌李妤晨
- 关键词：应变SINMOSFET漏电流解析模型
- 用于提高微波无线能量传输系统接收端能量转换效率的肖特基二极管被引量：3
- 2020年
- 转换效率是微波无线能量传输系统的关键参数,为提高该参数指标,本文提出了一种GeOI折叠空间电荷区肖特基二极管,该器件结构可以显著降低肖特基二极管的零偏置电容,利于能量转换效率的提高.通过在ADS仿真软件中使用该器件SPICE模型进行整流电路仿真,在输入能量为24.5 dBm时,获得了75.4%的转换效率.
- 李妤晨陈航宇宋建军
- 关键词：肖特基二极管
- 具有突变隧穿结的FD‑GOI隧穿场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种具有突变隧穿结的FD‑GOI隧穿场效应晶体管及制备方法，该制备方法包括：选取FD‑GOI衬底；采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离；在FD‑GOI衬底上光刻形成漏区图形，采用带胶离子注入工艺形成漏区；步骤(d)、在F...
- 李妤晨徐大庆张岩秦学斌
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- 一种SiGe HBT器件应变Si BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了一种SiGe HBT器件应变Si BiCMOS集成器件及制备方法。其过程为：在Si衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形...
- 胡辉勇宋建军张鹤鸣舒斌李妤晨吕懿宣荣喜郝跃
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- 一种双多晶SiGe HBT混合晶面BiCMOS集成器件及制备方法
- 本发明公开了双多晶SiGe HBT混合晶面BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；光刻双极器件有源区，生长N型Si外延，制备集电区、基区和发射...
- 张鹤鸣吕懿胡辉勇宋建军李妤晨宣荣喜舒斌郝跃
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- 具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型SSOI TFET及制备方法
- 本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型SSOI？TFET及制备方法，该制备方法包括：制备SSOI衬底；形成浅沟槽隔离；光刻形成漏区图形，带胶离子注入形成漏区；干法刻蚀形成源区沟槽；采用离子注入工艺向源区沟槽的...
- 李妤晨徐大庆秦学斌
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