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李龙远

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇坩埚
  • 3篇受主
  • 3篇碳化硅
  • 3篇碳化硅单晶
  • 3篇退火
  • 3篇硅单晶
  • 2篇底座
  • 2篇点缺陷
  • 2篇应力
  • 2篇施主
  • 2篇石墨
  • 2篇凸台
  • 2篇退火工艺
  • 2篇退火炉
  • 2篇退火温度
  • 2篇温度梯度
  • 2篇内部应力
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量

机构

  • 8篇中国科学院
  • 2篇新疆天科合达...

作者

  • 8篇李龙远
  • 6篇陈小龙
  • 4篇王文军
  • 4篇彭同华
  • 4篇王刚
  • 4篇刘春俊
  • 3篇鲍慧强
  • 2篇李辉
  • 2篇刘宇
  • 1篇张贺
  • 1篇王皖燕
  • 1篇吴星
  • 1篇倪代秦
  • 1篇许燕萍
  • 1篇胡伯清
  • 1篇朱丽娜
  • 1篇王波

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
碳化硅晶体制备技术
陈小龙吴星胡伯清李龙远彭同华王皖燕倪代秦鲍慧强张贺刘春俊王波王文军许燕萍朱丽娜
碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料，在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值，因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
关键词：
关键词：半导体材料
一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺
本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后再处理领域，具体来说是通过密封性良好、温度梯度小(晶体处温度梯度1-20℃/cm)的退火炉，在压力1万帕以上的惰性气体下用10-50小时升到退火温度，退火温度在2100-2500℃，恒...
彭同华汪波李龙远陈小龙刘春俊李河清朱丽娜吴星倪代秦王文军王刚王皖燕
半绝缘碳化硅单晶材料
本发明公开了一种半绝缘碳化硅单晶材料。该半绝缘碳化硅单晶或单晶片具有室温下大于1E5Ω·cm的电阻率，热退火后电阻率保持大于1E5Ω·cm。半绝缘碳化硅单晶或单晶片中至少含有一种补偿掺杂剂，该掺杂剂的电子能级距离碳化硅带...
陈小龙刘春俊彭同华李龙远王文军
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分体式钽坩埚及其制造方法
本发明公开了一种经碳化处理的分体式Ta坩埚及其制造方法，其中本发明的分体式Ta坩埚，包括分别经碳化处理的坩埚盖、坩埚筒和圆凸台的坩埚底，圆凸台的坩埚底具有上凸台和下底座，其中坩埚筒与圆凸台坩埚底的上凸台分体进行配合。本发...
陈小龙鲍慧强王刚王文军李龙远李辉
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分体式钽坩埚及其制造方法
本发明公开了一种经碳化处理的分体式Ta坩埚及其制造方法，其中本发明的分体式Ta坩埚，包括分别经碳化处理的坩埚盖、坩埚筒和圆凸台的坩埚底，圆凸台的坩埚底具有上凸台和下底座，其中坩埚筒与圆凸台坩埚底的上凸台分体进行配合。本发...
陈小龙鲍慧强王刚王文军李龙远李辉
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一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺
本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后再处理领域，具体来说是通过密封性良好、温度梯度小(晶体处温度梯度1-20℃/cm)的退火炉，在压力1万帕以上的惰性气体下用10-50小时升到退火温度，退火温度在2100-2500℃，恒...
彭同华汪波李龙远陈小龙刘春俊李河清朱丽娜吴星倪代秦王文军王刚王皖燕
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半绝缘碳化硅单晶
公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单...
陈小龙刘春俊彭同华李龙远王刚刘宇
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半绝缘碳化硅单晶
公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单...
陈小龙刘春俊彭同华李龙远王刚刘宇
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