沈今楷
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源被引量：4
- 2001年
- 我们借助傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）以及光致激发谱（ＰＬＥ），研究了 ＳｉＯ_２／Ｇｅ：ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_２夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密相关。ＰＬＥ的结果证实它们来源于ＧｅＯ色心ＴⅡ’→Ｓ０的光学跃迁，给出的ＧｅＯ电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。
- 沈今楷吴兴龙袁仁宽谭超邓树胜鲍希茂
- 关键词：光荧光氧化锗
- 有机半导体研究进展被引量：4
- 2003年
- 1977年人们发现通过掺杂可以使聚乙炔膜的电导率提高 1 2个量级 ,由绝缘体变成导体 ,从此掀起了有机半导体的研究热潮。其研究工作包括有机高分子材料、有机小分子材料和有机分子晶体材料的电学、光学等性质。有机半导体中的载流子除了电子和空穴外 ,还有孤子、极化子等。人们已经获得低温迁移率高达 1 0 5cm2 /V.s的高质量有机半导体晶体 ,在其中观察到量子霍尔效应 ,并用其制成有机半导体激光器。如今有机半导体彩色显示屏已进入实用阶段。
- 袁仁宽沈今楷孔凡
- 关键词：有机发光二极管聚合物半导体有机晶体孤子载流子有机半导体
- 硅基Ge：SiO<,2>、SLEC结构的光电特性研究
- 获得硅基发光是实现硅基光电子集成、硅基显示的关键,因此人们对于硅基发光材料的关注程度与日俱增.该论文首先对于硅基锗掺杂二氧化硅薄膜（Ge：SiO<,2>）的紫光发射（PL）、电致发光（EL）特性进行了详细研究.此外,创造...
- 沈今楷
- 关键词：硅基发光电致发光光电特性
- 文献传递
- 氧气中退火Ge-SiO_2共溅射薄膜的强紫光发射被引量：5
- 2001年
- Ge- Si O2 共溅射薄膜分别在 O2 、N2 和空气中退火后 ,在 Xe灯 2 5 0 nm线激发下 ,均观测到位于 40 0和 30 0 nm的紫、紫外光发射 (PL) .傅里叶变换红外吸收谱 (FT- IR)表明 ,这两个 PL 峰与锗氧化物紧密相关 .进一步的光致发光激发谱 (PL E)则证实它们来源于 Ge O色心的光学跃迁 .对比不同退火气氛下的 PL 强度 ,发现最强的光发射出现在 80 0℃氧气里退火的样品中 .这表明 ,退火气氛中氧的存在 ,能够增强 Ge- Si O2 共溅射薄膜的紫、紫外光发射 ,是一种增强光发射强度的新途径 .
- 沈今楷吴兴龙袁仁宽谭超鲍希茂
- 关键词：光致发光磁控溅射傅里叶变换红外吸收谱锗
