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邓树胜

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇多孔硅
  • 1篇氧化锗
  • 1篇偶联
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光发射
  • 1篇夹层结构
  • 1篇光发射
  • 1篇光荧光
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇发光
  • 1篇发光研究
  • 1篇辐照
  • 1篇O2
  • 1篇SIO
  • 1篇SIO2/S...
  • 1篇C60
  • 1篇C_(60)

机构

  • 3篇南京大学

作者

  • 3篇邓树胜
  • 2篇吴兴龙
  • 1篇沈今楷
  • 1篇谭超
  • 1篇鲍希茂
  • 1篇廖梦星
  • 1篇袁仁宽

传媒

  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
C_(60)偶联多孔硅系统的蓝光发射被引量：1
2005年
用C60 作为表面钝化剂 ,与多孔硅进行偶联 .发现当C60 偶联多孔硅系统在空气中存储一年后 ,能够发射 4 6 0nm左右的强烈蓝光 .经过系统的测量和分析 ,认为蓝光起源的发光中心与SiO2 体材料中的“自捕获激子”模型类似 .它是由一个氧空位和一个间隙氧组成的 ,间隙氧同时和相邻的晶格氧形成过氧连接 .光激发载流子来自于Si纳米晶粒的核心 ,辐射复合过程则在多孔硅表面的发光中心进行 .进一步的电子束辐照和臭氧辐照实验证明了这个发光中心的存在 .从FTIR谱的分析 ,推测是样品表面Si=O双键的缓慢变化促使了蓝光中心的自发产生 .
廖梦星吴兴龙邓树胜
关键词：多孔硅C60蓝光发射辐照
SiO_2/Ge:SiO_2/SiO_2夹层结构红外光发射的起源被引量：4
2001年
我们借助傅立叶变换红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）以及光致激发谱（ＰＬＥ），研究了 ＳｉＯ_２／Ｇｅ：ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_２夹层结构红外光发射的起源。谱分析表明，该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位，而与锗的氧化物紧密相关。ＰＬＥ的结果证实它们来源于ＧｅＯ色心ＴⅡ’→Ｓ０的光学跃迁，给出的ＧｅＯ电子态模型描述了载流子激发和复合的过程。
沈今楷吴兴龙袁仁宽谭超邓树胜鲍希茂
关键词：光荧光氧化锗
C<,60>偶联多孔硅系统的光致发光研究
我们制备了两种不同发光起源的多孔硅样品，细致的PL和PLE谱测量显示其发光分别起源于界面氧相关缺陷态和表面Si=O键合态.对于来自于表面态发光的多孔硅在C<,60>偶联以后，出现钉扎在590nm左右的PL峰和367nm的...
邓树胜
关键词：光致发光
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