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王建辉

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：医药卫生电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇医药卫生

主题

  • 4篇电路
  • 4篇电路技术
  • 4篇电压
  • 4篇热阻
  • 4篇脉冲电压
  • 4篇集成电路
  • 4篇集成电路技术
  • 4篇耗散
  • 4篇分析仪
  • 4篇FET
  • 2篇输出功率
  • 2篇工作寿命
  • 2篇多栅
  • 2篇半导体
  • 2篇变温
  • 1篇可靠性
  • 1篇SIN
  • 1篇GAN
  • 1篇MMIC

机构

  • 7篇中国科学院微...

作者

  • 7篇王建辉
  • 7篇王鑫华
  • 7篇刘新宇
  • 7篇庞磊
  • 7篇袁婷婷
  • 5篇陈晓娟
  • 5篇罗卫军

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种多栅指GaN HEMTs
本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为<Image file="DDA000008248936000001...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊袁婷婷
GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
2012年
本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理,研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移;缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低.SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据.
王鑫华王建辉庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军刘新宇
关键词：SIN
一种测量FET沟道温度的装置及方法
本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军
一种测量FET沟道温度的装置及方法
本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军
文献传递
一种测量FET沟道温度的方法
本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军
文献传递
一种多栅指GaN HEMTs
本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为<Image file="DDA000008248936000001...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊袁婷婷
文献传递
一种测量FET沟道温度的装置及方法
本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊陈晓娟袁婷婷罗卫军
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