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用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs被引量：1: 2010年; 首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。; 黄伟王胜张树丹许居衍; 关键词：增强型击穿电压比导通电阻

Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究被引量：1: 2010年; 文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。; 王胜黄伟张树丹许居衍; 关键词：肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱快速热退火

一种基于VFM直流升压型开关变换器设计: 2009年; 开关电源具有体积小、效率高等一系列优点,在各类电子产品中得到广泛的应用。文章首先从系统的角度,阐述了用内带限流保护的可变频调制工作模式,来实现升压型DC-DC电源转换器的原理。同时给出了一种基于变频模式开关电源变换器的设计过程,最后基于Hspice电路模拟软件对设计进行仿真,并通过CMOS工艺流片验证,该开关变换器电路达到了预期的设计指标。采用这种设计模式的DC-DC变换器具有功耗低、转换效率高的特点,电路工作电压范围为1V^5V,输出电压为1.5V^5V可调,步距为0.1V,可用于一般的电池供电设备,最终实现了一种基于VFM的高效非隔离式直流升压电源的电路设计。; 万清王胜王成; 关键词：DC/DC变换器 PFM PWM VFM

一款DSP指令集模拟器性能优化技术研究: 2013年; 文中研究和设计的指令集模拟器(Instruction Set Simulator,ISS)仿真了"中微一号"(ZW100)DSP指令系统和存储器系统行为。在现代嵌入式系统设计过程中,ISS能够在硬件原型构造出来之前,完成对处理器设计的正确性验证和性能分析工作;同时,其还可用于验证操作系统、编译器、汇编器、连接器等系统软件的正确性和各项性能指标。目前,国内外对ISS的研究主要集中在保证ISS灵活性的前提下,应用各种优化技术,提升它的指令仿真执行速度。文章在吸收借鉴目前国际上关于ISS性能优化技术的基础上,通过对仿真策略、仿真内存管理、二进制指令译码算法进一步优化,提高了ISS的整体性能。实验证明,文中提出的优化技术能够有效提升ISS的性能。; 阮园王胜张庆文; 关键词：指令集模拟器优化技术

GDB RSP协议与USB通信在嵌入式调试系统中的应用被引量：6: 2013年; 对于嵌入式系统开发来说,远程调试器非常重要,而GDB RSP协议与USB通信一般在嵌入式调试系统中占有重要位置。文章在研究GDB RSP协议与USB通信的基础上,针对ZW100 DSP处理器的体系架构,给出了一种基于RSP命令交互与USB数据通信实现硬件仿真器与PC端调试软件进行调试信息交互的开发与实现方法。该设计实现了GDB通过硬件仿真器下载程序到目标板进行开发调试的功能,使得开发简洁便利,缩短了研发周期。; 盛建忠王胜张庆文; 关键词：USB通信嵌入式系统硬件仿真器

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王胜