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陈诚钊

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇外延层
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇硅基
  • 1篇锗
  • 1篇MOS电容

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇李成
  • 1篇陈松岩
  • 1篇陈诚钊
  • 1篇郑元宇
  • 1篇赖虹凯
  • 1篇黄魏
  • 1篇黄诗浩

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅基锗薄膜外延及锗MOS电容的界面特性研究
采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，制备出硅基G...
李成郑元宇陈诚钊黄诗浩黄魏赖虹凯陈松岩
关键词：MOS电容位错密度
文献传递
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