黄长河
- 作品数：9 被引量：17H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学天文地球更多>>
- 红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂
- 1990年
- 提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。
- 黄长河司承才季华美俞振中汤定元
- 关键词：晶体N型
- 铁电薄膜研究动向
- 1996年
- 我们出席了在旧金山召开的美国材料研究学会1996年春季年会（MRS 1996 SpringMeeting）。铁电薄膜分会是30个分会之一,接受论文约120篇,其中特邀报告约25篇。主要讨论了以下几个专题。1 高介电常数薄膜在DRAM中的应用这一专题的报告有11篇,所关注的主要材料是srTiO3（ST）,Bal-xSrxTiO3（BST）。
- 黄长河汪荣昌
- 关键词：铁电薄膜薄膜物理学
- GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长
- 1990年
- 本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于300″,未掺杂的外延层为P型,其室温载流子浓度为2.12×10^(16)cm^(-3),迁移率为664cm^2/V·s。
- 宗祥福邱绍雄杨恒青黄长河陈骏逸胡刚吴仲墀
- 关键词：GASBALSBGAAS应变层
- P型闪锌矿半导体带内光吸收的计算
- 1990年
- 采用Kane模型的重空穴带波函数,导出重空穴带带内跃迁的光吸收理论公式,其结果近似为采用球对称波函数计算结果的一半。
- 黄长河俞振中汤定元
- 关键词：P型闪锌矿半导体
- 掺Sb弱P型Hg_(1-x)Cd_xTe晶体光电特性研究
- 1990年
- 利用杂质分凝效应制备弱P型掺Sb-HgCdTe晶体,测量了样品的电学特性、红外光谱及以掺杂样品作衬底制成的PN结的伏安特性,并与未掺杂P型HgCdTe进行了比较,结果表明用掺Sb-HgCdTe晶体可制作性能良好的光伏探测器。
- 王珏黄长河刘激呜俞振中汤定元
- 关键词：P型HGCDTE电学特性SB
- P型Hg<,1-x>Cd<,x>Te合金的红外光吸收
- 黄长河
- 用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究被引量：17
- 1997年
- 二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上，膜厚在0．1～1μm之间．本文考察了温度对生长速率的影响，其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系，并通过作图求出钛源的活化能Ea＝1．05eV．TEM测试结果表明，生成的二氧化钛是多晶膜，为锐钛矿结构．将样品作XPS分析，测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少，进一步研究表明，二氧化钛是n型半导体，它的电阻率随钛三价离子的减少而增大．
- 金海岩黄长河
- 关键词：二氧化钛MOCVD生长半导体薄膜技术
- 金属有机化学汽相淀积生长铁电薄膜材料和金属有机化学汽相淀积生长TiO_2薄膜气敏传感器
- 黄长河徐飞汪荣昌林晶沈兆发陈一
- 1.成果内容简介：(1)金属有机化学汽相淀积生长铁电薄膜材料：用自制的低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Si衬底上成功地生长了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜，材料结构是PZT/Pt/粘附层/SiO_2/Si，用SA...
- 关键词：
- 关键词：化学汽相淀积薄膜生长铁电薄膜TIO_2薄膜气敏传感器
- 金属有机化学汽相淀积生长铁电薄膜材料和金属有机化学汽相淀积生长TiO<,2>薄膜气敏传感器
- 黄长河徐飞汪荣昌林晶沈兆发陈一等
- 1.成果内容简介：(1)金属有机化学汽相淀积生长铁电薄膜材料：用自制的低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Si衬底上成功地生长了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜，材料结构是PZT/Pt/粘附层/SiO<,2>/Si，用...
- 关键词：
- 关键词：化学汽相淀积薄膜生长铁电薄膜TIO<,2>薄膜气敏传感器
