冷鹏
- 作品数：11 被引量：23H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理被引量：7
- 2008年
- 针对Si基双极型低噪声放大器(LNA),用脉冲调制150MHz射频信号在其输入端进行了能量注入实验,研究结果表明Si基LNA的噪声系数和增益特性都是注入能量的敏感参数.样品解剖和电路仿真显示能量作用使LNA内部晶体管出现基极/发射极金属化损伤,基极金-半接触电阻增大导致了LNA噪声系数增大,而Si基双极器件hFE随时间正向漂移损伤模式使LNA增益随注入能量的增加而增大.研究表明,由于能量作用下损伤效应的复杂性,以往可靠性研究中单纯采用增益的变化来衡量器件与电路的损伤效应的方法是不全面的.
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- 关键词：低噪声放大器噪声增益
- 一种考虑温度时间—空间分布的解析互连延时模型
- 2010年
- 本文从热扩散方程出发,得到了互连温度时间—空间分布的解析表达式。考虑互连温度对互连电阻和Elmore延时的影响,同时提出了一种用以分析互连时间—空间温度分布效应对互连延时影响的等效内阻模型。基于所提出的模型,详细地分析了互连长度、输入信号频率和功率对互连延时的影响。所提出的互连温度分布和延时解析模型可以应用于深亚微米温度相关的互连性能分析中。
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- 关键词：互连温度延时
- 考虑温度分布效应的RLC互连延时分析被引量：3
- 2008年
- 基于等效Elmore延时模型和分段分布参数思想提出了一种RLC互连延时解析模型,该模型同时考虑了互连线温度分布效应和电感效应对延时的影响,更加贴近实际情况,在实际应用中具有重要意义.仿真结果表明,对于简单的RLC互连树形结构而言,所提模型的延时误差在10%以内,且仿真效率高.
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- 关键词：延时温度分布RLC互连
- 考虑热电耦合效应的芯片延时及温度特性分析
- 随着CMOS器件工艺特征尺寸的减小，热问题成为深亚微米集成电路设计中最具挑战的问题之一。同时，互连延时估计在深亚微米集成电路设计中也一直备受关注。一方面，随着信号上升时间的减小和互连长度的增加，互连电感效应越来越重要，而...
- 冷鹏
- 关键词：集成电路CMOS器件芯片设计热电耦合
- 文献传递
- 深亚微米多层互连的温度分布特性分析
- 2010年
- 本文从热扩散方程出发,推导了简单互连的温度分布解析表达式,采用65nm工艺参数,详细讨论了热扩散长度和介质层厚度对互连温度分布的影响;进一步给出了复杂多层互连的温度分布解析表达式并用于其特性模拟,结果显示全局互连的温升远大于半全局互连和局部互连的温升。
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- 关键词：多层互连温度分布深亚微米
- 考虑热电耦合效应的缓冲器插入功耗优化
- 2009年
- 为了改善芯片的功耗和温度特性,提出了一种缓冲器插入功耗优化方法.该方法基于延时、功耗和温度三者之间的热电耦合效应,给出了相应的延时、功耗和热模型;通过在允许的范围内牺牲部分延时来优化功耗,并在优化过程兼顾温度对延时和功耗的影响以及互连电感效应对延时的影响,利用Matlab软件求得最佳优化结果.采用该方法针对65nm和45nm工艺节点的缓冲器插入进行分析和验证的结果表明了其有效性.文中同时指出忽略互连电感效应会低估芯片的优化稳态功耗和温度.
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- 关键词：延时功耗缓冲器插入热电耦合电感
- 考虑互连温度分布的缓冲器插入延时优化方法被引量：1
- 2011年
- 针对VLSI设计中存在的互连电感效应、热电耦合以及互连温度分布的问题,提出一种缓冲器插入延时优化方法.首先根据互连温度分布的特点得出其电阻模型和延时模型,通过延时、功耗和温度之间的热电耦合效应求得考虑互连温度分布的缓冲器插入最优化延时,利用Matlab软件求得最佳优化结果.采用该方法针对45 nm工艺节点的缓冲器插入进行分析和验证,证实了方法的有效性.研究表明,忽略互连电感效应会高估芯片的优化延时,忽略互连温度分布会低估芯片的优化延时,在全局互连尺寸较小(线宽为245 nm)时,忽略互连温度分布会低估互连延时8.71%.
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- 关键词：温度分布延时缓冲器插入热电耦合电感
- 考虑热电耦合效应的全芯片温度特性优化方法被引量：1
- 2009年
- 针对全局互连延时已成为制约电路性能的关键因素问题,提出了一种全芯片温度特性优化方法,使功耗和温度间的反馈在功耗模型与HotSpot软件结合运算数次后收敛,根据收敛结果确定优化方向.该方法同时考虑了延时、功耗和温度三者间的热电耦合效应.采用该方法对90 nm工艺的AMD Athlon64处理器进行仿真验证,结果表明,采用这种方法优化得到的芯片功耗和温度均有显著下降,芯片温度梯度也明显改善,芯片温度特性得到优化.
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- 关键词：延时功耗缓冲器插入热电耦合
- 一种考虑工艺波动的RC互连延时统计模型被引量：1
- 2010年
- 基于Elmore延时模型,提出了一种考虑工艺波动的RC互连延时统计模型,在给定互连参数波动范围条件下,利用该模型可以得到互连延时均值和标准差的解析表达式,与目前国内外互连工艺波动研究中广泛采用的Hspice蒙特卡罗(Monte Carlo)分析方法相比,所提模型在确保计算精度的前提下大大缩短了计算时间,可以应用于VLSI的互连延时分析和优化设计中。
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- 关键词：延时工艺波动统计模型
- 集成Si基低噪声放大器的注入损伤研究被引量：14
- 2010年
- Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)分析和表面形貌(SEM)分析.SEM分析表明,不同能量作用下的样品其内部无源电阻和晶体管基极分别出现了异常,而对比正常和异常区域的EDS谱表明电极异常区域的组分有明显变化.ADS2004A的仿真结果表明,能量作用后电阻损伤阻值增大引起LNA噪声系数和增益特性退化.实验结果表明,LNA噪声系数NF对能量的作用更敏感,能量注入对NF的影响远强于其对增益的影响,噪声系数NF的变化应作为Si基LNA能量作用损伤的判据之一.
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- 关键词：低噪声放大器噪声系数
