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文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 9篇相变材料
  • 7篇相变
  • 7篇存储器
  • 6篇相变存储
  • 6篇相变存储器
  • 4篇电阻
  • 4篇致密
  • 4篇致密性
  • 4篇可逆
  • 4篇可逆转变
  • 4篇
  • 4篇
  • 3篇低电阻
  • 3篇温度
  • 3篇结晶温度
  • 2篇汽车
  • 2篇汽车电子
  • 2篇写操作
  • 2篇高电阻
  • 2篇高温

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇宋三年
  • 13篇张中华
  • 13篇宋志棠
  • 7篇刘波
  • 5篇封松林
  • 5篇王青
  • 5篇夏洋洋
  • 3篇彭程
  • 2篇吴良才
  • 2篇顾怡峰
  • 2篇饶峰
  • 1篇蔡道林
  • 1篇吕业刚
  • 1篇成岩

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法
本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:1)在基底上引入SbCl<Sub>3</Sub>脉冲,清洗未被吸收的SbCl<Sub>3</Sub>,然后引入(R<Sub>3</Sub>S...
宋三年宋志棠吴良才饶峰刘波彭程张中华
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钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:沉积Ti前驱体,所述Ti前驱体包括(R<Sup>1</Sup>)<Sub>4</Sub>Ti、(R<Sup>1</Sup>R<Sup>2</Sup>...
宋三年宋志棠张中华顾怡峰
文献传递
用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料
本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为Ga<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>Sb<Sub>z</Sub>Te<Sub>w</Sub>,其中...
张中华宋三年宋志棠吕叶刚
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用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是一种锡、锗、碲三种元素组成的材料,其通式为Sn<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>Te<Sub>z</Sub>,其中0<x...
张中华宋三年宋志棠彭程吕业刚
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相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法
本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法,包括步骤:1)于衬底上制备GeTe材料薄膜层;2)于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层,并图形化所述刻蚀阻挡层;3)将GeTe材料薄膜层送入具有BCl<Sub>3...
夏洋洋刘波王青张中华宋三年宋志棠封松林
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一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法
本发明提供一种相变材料,其组分通式为CrxSbyTe1的化合物,其中,元素的原子比满足:0&lt;x&lt;1,2.0≤y≤3.5。本发明还提供一种包括所述相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的制备方法。本发明提供的C...
王青刘波夏洋洋张中华宋三年宋志棠封松林
一种神经元器件及神经网络
本发明提供一种神经元器件及神经网络,所述神经元器件包括:下加热电极;相变材料;上电极;以及周围介质材料;其中,所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态,而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只...
宋三年宋志棠张中华成岩蔡道林
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钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法
本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:1)在基底上引入SbCl<Sub>3</Sub>脉冲,清洗未被吸收的SbCl<Sub>3</Sub>,然后引入(R<Sub>3</Sub>S...
宋三年宋志棠吴良才饶峰刘波彭程张中华
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钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:沉积Ti前驱体,所述Ti前驱体包括(R<Sup>1</Sup>)<Sub>4</Sub>Ti、(R<Sup>1</Sup>R<Sup>2</Sup>...
宋三年宋志棠张中华顾怡峰
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一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法
本发明提供一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>Cr<Sub>100-x-y</Sub>,其中x、y均指...
王青刘波夏洋洋张中华宋三年宋志棠封松林
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共2页<12>
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