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夏洋洋

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 5篇相变材料
  • 4篇电阻
  • 4篇可逆
  • 4篇可逆转变
  • 4篇存储器
  • 3篇低电阻
  • 3篇相变
  • 3篇相变存储
  • 3篇相变存储器
  • 2篇写操作
  • 2篇高电阻
  • 2篇存储器单元
  • 1篇图形化
  • 1篇刻蚀
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇反应气体
  • 1篇SUB
  • 1篇GETE

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇宋三年
  • 5篇张中华
  • 5篇宋志棠
  • 5篇封松林
  • 5篇王青
  • 5篇夏洋洋
  • 5篇刘波

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法
本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl<Sub>3...
夏洋洋刘波王青张中华宋三年宋志棠封松林
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一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法
本发明提供一种相变材料，其组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，元素的原子比满足：0&lt;x&lt;1，2.0≤y≤3.5。本发明还提供一种包括所述相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的制备方法。本发明提供的C...
王青刘波夏洋洋张中华宋三年宋志棠封松林
一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法
本发明提供一种相变材料，其组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，元素的原子比满足：0&lt;x&lt;1，2.0≤y≤3.5。本发明还提供一种包括所述相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的制备方法。本发明提供的C...
王青刘波夏洋洋张中华宋三年宋志棠封松林
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一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法
本发明提供一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>Cr<Sub>100-x-y</Sub>，其中x、y均指...
王青刘波夏洋洋张中华宋三年宋志棠封松林
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一种Cr掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>相变材料、相变存储器单元及其制备方法
本发明提供一种Cr掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Cr掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<S...
王青刘波夏洋洋张中华宋三年宋志棠封松林
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