钟雨航
- 作品数：9 被引量：25H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 双温区生长CdSe单晶及其红外表征
- 硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长出Φ15×40mm，电阻率为107～108(Ω.cm)量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD...
- 叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
- 关键词：硒化镉晶体生长
- 文献传递
- 注射成型尼龙-铁氧体粘结磁体的SEM表征被引量：10
- 2005年
- 分别以尼龙6和尼龙12作粘结剂,用注射成型法制备了铁氧体粘结磁体,并用扫描电子显微镜观察了磁体的形貌。实验结果显示,在本实验工艺条件下,能够得到包裹程度较好、致密度较大的注射成型粘结磁体。SEM是一种较好的观察注射成型粘结磁体形貌的表征方法,并能定性地说明磁体的成型性和磁性能。
- 杨文彬周启轩陈彪钟雨航路雪松朱世富赵北君
- 关键词：注射成型微结构SEM
- CdSe晶片的红外透过率研究
- 将采用多级提纯、垂直无籽晶气相提拉法生长的CdSe晶锭切割,获得沿径向位置分布的0.8mm厚的系列晶片,利用日本SHIMAZU公司的Irpresting-21傅立叶变换红外光谱仪对该晶片组的红外透过率进行了测试。测试结果...
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE
- 文献传递
- 双温区生长CdSe单晶及其红外表征被引量：4
- 2006年
- 硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了φ15mm×40mm，电阻率为10^7～10^8（Ω·cm）量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体（110）解理晶片进行XRD、红外透过测试，结果显示：硒化镉单晶体完整性好，红外透过率〉62％，表明用二步提纯，在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体，能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比。
- 叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
- 关键词：硒化镉晶体生长电阻率
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究
- 以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化．由此,在选定温场的前提下...
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- 文献传递
- CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究被引量：2
- 2006年
- 采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光。研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量。通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω.cm以上,适合CdSe探测器制备。
- 钟雨航朱世富赵北君任锐何知宇叶林森温才
- 关键词：硒化镉抛光液金相显微镜电阻率
- CdSe探测器晶片表面处理和钝化研究
- CdSe属于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有较高的平均原子序数，晶体密度较大(5.74g/cm<'3>)，对x射线和γ射线有较高的阻止能力，禁带宽度较大(1.73ev)，可在室温下工作：载流子迁移寿命积(μτ)较大(7.2...
- 钟雨航
- 关键词：硒化镉半导体材料气相法表面处理化学机械抛光
- 文献传递
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究被引量：1
- 2007年
- 以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm／d的生长速度，得到了平界面生长的尺寸为Ф20mm×30mm，电阻率高达10^9Ω·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体.
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- CdSe晶片的红外透过率研究被引量：9
- 2007年
- 将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法。
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光曾体贤
- 关键词：探测器材料红外光谱
