温才
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划山东省自然科学杰出青年基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究被引量：2
- 2005年
- 通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
- 温才赵北君朱世富王瑞林何知宇任锐罗政纯李艺星
- 关键词：核辐射探测器
- 硒化镉（CdSe）单晶体的点缺陷研究
- 核辐射探测器是实验核物理技术重要的探测元件，在科学研究、核安全、核医学、环境监测、空间飞行、采矿工业等领域发挥着不可或缺的作用，其对于核物理的发展亦具有重要的作用。目前，室温半导体核辐射探测器以其能量分辨率好、探测效率高...
- 温才
- 关键词：点缺陷红外光谱退火
- 文献传递
- 双温区生长CdSe单晶及其红外表征被引量：4
- 2006年
- 硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了φ15mm×40mm，电阻率为10^7～10^8（Ω·cm）量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体（110）解理晶片进行XRD、红外透过测试，结果显示：硒化镉单晶体完整性好，红外透过率〉62％，表明用二步提纯，在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体，能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比。
- 叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
- 关键词：硒化镉晶体生长电阻率
- CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究被引量：2
- 2006年
- 采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光。研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量。通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω.cm以上,适合CdSe探测器制备。
- 钟雨航朱世富赵北君任锐何知宇叶林森温才
- 关键词：硒化镉抛光液金相显微镜电阻率
- AlSb／GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析被引量：3
- 2009年
- 用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。
- 贺小庆温才卢朝靖段晓峰
- 关键词：异质结失配位错
- 双温区生长CdSe单晶及其红外表征
- 硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长出Φ15×40mm，电阻率为107～108(Ω.cm)量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD...
- 叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
- 关键词：硒化镉晶体生长
- 文献传递
- CdSe单晶的正电子寿命研究
- 2004年
- 利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究,通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析,表明:在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系,研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况,确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。
- 任锐赵北君朱世富何知宇罗政纯李艺星温才
- 关键词：CDSE晶体缺陷正电子退火
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究
- 以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化．由此,在选定温场的前提下...
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- 文献传递
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究被引量：1
- 2007年
- 以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm／d的生长速度，得到了平界面生长的尺寸为Ф20mm×30mm，电阻率高达10^9Ω·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体.
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
