展明浩
- 作品数：8 被引量：44H指数：4
- 供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划安徽省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术建筑科学机械工程更多>>
- 一种压阻式高g值加速度计的校准方法
- 2014年
- 详细介绍了一种检测自制高g值加速度传感器的技术。利用Hopkinson杆装置进行检测,对检测数据包括电压U与g值进行线性拟合,根据拟合直线来标定自由落体冲击装置的恢复系数k,达到校准整个自由落体冲击装置的目的。
- 郑宇方岚谢斌徐栋展明浩
- 关键词：HOPKINSON杆
- 高深宽比的TSV制作与填充技术被引量：4
- 2016年
- 硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。
- 余成昇许高斌陈兴马渊明展明浩
- 关键词：ICP刻蚀LPCVD高深宽比
- 一种新型岛膜压力传感器的研究与设计被引量：1
- 2015年
- 设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下,该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键合的工艺加工方法,能够精确控制敏感薄膜及岛的厚度,并且全硅结构器件能够避免键合残余应力,大大提高器件性能。采用了双惠斯登电桥电路减小传感器输出的温漂效应,并设计了该电路的压敏电阻连接图。最后对该压力传感器进行了测试,结果表明,其非线性为0.64%,精度为0.74%,满足现代工业应用要求。
- 余成昇展明浩胡芳菲李凌宇何凯旋许高斌
- 关键词：ANSYS仿真硅-硅直接键合
- 基于BCB键合的MEMS加速度计圆片级封装工艺被引量：2
- 2012年
- 对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究,该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势,是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MEMS传感器的粘结键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,在低温250℃和适当压力辅助下≤2.5 bar(1 bar=100 kPa)实现了加速度计的圆片级封装,并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。
- 刘磊展明浩李苏苏陈博
- 关键词：MEMS加速度计圆片级封装
- 基于ICP的硅高深宽比沟槽刻蚀技术被引量：6
- 2012年
- 介绍了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术的基本概念。结合英国STS公司的STS multiplex ICP system刻蚀机,介绍了刻蚀机原理及刻蚀过程。对硅深槽刻蚀技术进行了分析,对其中Footing效应、Lag效应和侧壁光滑问题提出了优化方案,最后在实验的基础上得出了能够刻蚀出高质量硅深沟槽的刻蚀参数。
- 展明浩宋同晶皇华王文婧陈博
- 关键词：ICP刻蚀高深宽比
- ICP深硅刻蚀工艺研究被引量：20
- 2013年
- 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。
- 许高斌皇华展明浩黄晓莉王文靖胡潇陈兴
- 关键词：感应耦合等离子体刻蚀工艺参数
- 智能建筑电气监控网络节点的功能重配置设计被引量：9
- 2018年
- 针对传统智能建筑电气监控网络节点控制功能单一、节点功能重配置操作复杂等问题,设计出一种智能建筑电气监控网络节点的功能重配置方法,该方法首先根据节点外设的触发类型数量(电力开关、温湿度、继电器状态等)将节点的EEPROM划分为多个区域,随后将节点外设(继电器和可控硅)的控制命令打包为格式统一的指令报文并根据用户的需求依次存入多个节点中EEPROM的相应区域,节点工作时通过感知到的外设触发类型调取其EEPROM中相应区域的指令报文并根据指令报文内容执行预期功能或将该指令报文发送至下一个节点,最后节点发送反馈报文至上位机通报自身的实时状态。通过功能性测试实验和可靠性测试实验验证了使用本方法的智能建筑电气监控网络可配置功能丰富、操作简便、信息传输可靠。
- 桂昀易茂祥孟祥麟王磊展明浩
- 关键词：自动控制
- ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究被引量：4
- 2015年
- 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。
- 刘方方展明浩许高斌黄斌管朋
- 关键词：工艺参数正交实验
