皇华
- 作品数：3 被引量：24H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划安徽省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碳纳米管随机网络场效应晶体管电学性能分析
- 2012年
- 利用电子束蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极,在底栅电极上生长SiO2薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNTs),使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO2薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术,在单壁碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源电极。该工艺过程避免了碳纳米管过多的化学接触,有效地保护了碳纳米管的性状。在室温条件下对器件电学性能进行测试和分析。使用该方法制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜场效应晶体管,具有器件性能稳定、重复性和一致性较好等优点,并可用于构建碳纳米管逻辑电路。该方法对于研究基于碳纳米管的大规模、低成本的集成电路,具有较高的借鉴价值。
- 常永嘉皇华黄文龙
- 关键词：单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管
- ICP深硅刻蚀工艺研究被引量：20
- 2013年
- 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。
- 许高斌皇华展明浩黄晓莉王文靖胡潇陈兴
- 关键词：感应耦合等离子体刻蚀工艺参数
- 基于ICP的硅高深宽比沟槽刻蚀技术被引量：6
- 2012年
- 介绍了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术的基本概念。结合英国STS公司的STS multiplex ICP system刻蚀机,介绍了刻蚀机原理及刻蚀过程。对硅深槽刻蚀技术进行了分析,对其中Footing效应、Lag效应和侧壁光滑问题提出了优化方案,最后在实验的基础上得出了能够刻蚀出高质量硅深沟槽的刻蚀参数。
- 展明浩宋同晶皇华王文婧陈博
- 关键词：ICP刻蚀高深宽比
